Cтраница 3
Участок 3 является рабочей частью вольт-амперной характеристики тиристора. Прибор находится в состоянии высокой проводимости, и сопротивление его в прямом направлении мало. Следует отметить, что дальнейший рост суммы аг а2 до величины, намного превышающей единицу, исключается благодаря наличию процесса рекомбинации электронов и дырок в обеих базах прибора. [31]
Отметим, что участок V вольт-амперной характеристики тиристора ( рис. 2 - 30 6) соответствует его разрушению. [32]
![]() |
Характеристики тиристора. [33] |
На рис. 3 - 30 представлена вольт-амперная характеристика тиристора. Когда на анод подан положительный потенциал относительно катода, то при возрастании напряжения ток через управляемый диод будет очень небольшим. Падение напряжения на тиристоре оказывается очень небольшим ( единицы вольт и ниже), и значение тока i практически определяется сопротивлением внешней нагрузки, включенным в анодную цепь. [34]
Приведенные на рис. 2.36, г вольт-амперные характеристики тиристора аналогичны характеристикам тиратрона. [35]
На рис. 30, а представлена вольт-амперная характеристика тиристора с прямой и обратной ветвью. После этой точки ток быстро возрастает. Величина тока через тиристор практически определяется только сопротивлением нагрузки и напряжением цепи анод-катод. Ток 1пер, соответствующий напряжению переключения UПр0б, называют током отпирания или переключения. После того, как тиристор открыт, он может быть возвращен в запертое состояние путем перевода рабочей точки с проводящей ветви характеристики на запирающую. Все это происходит при токе управляющего электрода равном нулю и температуре ниже температуры окружающей среды. Тиристор пропускает очень незначительный ток / об) при приложенном обратном напряжении UOQP. Отметим, что главным источником тепла у тиристора являются тепловые потери при прохождении тока в прямом направлении. Тепловые потери в обратном направлении незначительны, однако ими нельзя пренебрегать. [36]
![]() |
Тиристор. а-схема включения. б-вольт-амперная характеристика. [37] |
На рис. 6.48, б приведена вольт-амперная характеристика тиристора. [38]
На рис. 1 - 7 в изображена вольт-амперная характеристика тиристора. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики тиристора О А на рис. 1 - 7, в обычно практически ничем не отличается от обратной ветви характеристики кремниевого диода. Наибольший интерес представляет рассмотрение прямой ветви характеристики. При подаче на анод тиристора положительного напряжения вентиль может находиться в двух состояниях: закрытом и открытом. Как видно из рис. 1 - 7 0, тиристор может находиться в закрытом состоянии ( область /) только в том случае, если положительное напряжение на аноде меньше некоторого критического. В результате, когда напряжение на тиристоре достигает этого критического значения, наступает самопроизвольное включение тиристора. [39]
![]() |
Схема включения и характеристики тиристора. [40] |
Из-за запирающего действия перехода п - р2 вольт-амперная характеристика тиристора ( рис. 24, б) имеет в проводящем направлении петлю ОВГ, участок 0В которой соответствует весьма большому сопротивлению тиристора. [41]
Вольт-амперная характеристика динистора имеет такой же вид, как и вольт-амперная характеристика тиристора при токе управляющего электрода, равном нулю. [42]
На рис. 3, 4 и 5 приведено несколько осциллограмм вольт-амперных характеристик тиристоров. По вертикальной оси отложен ток, а по горизонтальной оси - напряжение. Из рисунков видно, что изображение вольт-амперных характеристик получается достаточно четким и удобным для проведения необходимых измерений. [43]
Обратная ветвь ( участок а - О на рис. 6.2) вольт-амперной характеристики тиристора соответствует подключению внешнего напряжения орицательным полюсов к аноду и положительным - к катоду. Это вызывает смещение среднего перехода в лрямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение / 70вр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в pi - и / 12-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в р - и rti - слоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих Напряжений. [44]
Вольт-амперная характеристика тиристора, непроводящего в обратном направлении, подобна характеристике, изображенной на рис. 7.2. Вольт-амперная характеристика тиристора, проводящего в обратном направлении, при положительных анодных напряжениях подобна ВАХ, изображенной на рис. 7.2, а при отрицательных анодных напряжениях - прямой ВАХ силового диода. Для этих тиристоров применяется термин тиристор-диод, если в стандартах нормировано значение максимально допустимого среднего тока в обратном проводящем состоянии. [45]