Вольт-амперная характеристика - фотодиод
Cтраница 1
Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте рис. 8.5, а и соответственно этому квадранту на рис. 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным ( выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ ( см. рис. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения. [1]
 |
Вольт-амперные характеристики фотодиода ( а, схема включения в режиме фотопреобразователя ( 6 и построение нагрузочной прямой для режима фотопреобразователя ( в. [2] |
Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте ( см. рис. 8.5, а) и соответственно этому квадранту на рисунке 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным ( выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ ( см. рис. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения. [3]
 |
Амплитудный модулятор переменного напряжения световым потоком. [4] |
Поскольку вольт-амперные характеристики фотодиода имеют насыщенный характер, величина напряжения питания входной цепи может изменяться в широких пределах. Его минимальная величина ограничивается ординатой точки выходной характеристики, соответствующей нужному току базы, а максимальная - допустимым для данного фотодиода напряжением. [5]
 |
Фотодиод в. фотодиодном режиме.| Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода. [6] |
Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода расположено в квадрантах I, III и IV. Фотоуправление током через диод становится невозможным. [7]
Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода напоминает семейство выходных характеристик транзистора с общей базой. Световой поток играет роль эмиттера, инжектирующего подвижные носители заряда, которые, диффундируя к переходу, как коллектору, собираются им. При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает тем новой ток / т, равный сумме обратного тока насыщения р-и-перехода и тока утечки. Величина / т мала и составляет у германиевых фотодиодов 10 - 30 мка, у кремниевых - 1 - 3 мка. Флуктуации темнового тока ограничивают минимальную величину светового потока, который можно зарегистрировать фотодиодом. С ростом светового потока ток фотодиода увеличивается. Характерной особенностью рабочей области вольт-амперных характеристик является практически полная независимость тока фотодиода от приложенного напряжения. Такой режим наступает при обратных напряжениях на диоде порядка 1 в. Так как темновой ток мал, то отношение тока при освещении к тем-новому току велико, что весьма важно при индикации освещения. [8]
 |
Схема фотореле. [9] |
На графике вольт-амперной характеристики фотодиода наносится линия нагрузки. В случае активного сопротивления - это прямая. Лшт / н - Координаты точки пересечения нагрузочной лини с вольт-амперной характеристикой фотодиода соответствуют искомым величинам. [10]
 |
Вольт-амперные характеристики фотодиода в фотогальвани - ческом режиме. [11] |
Квадрант IV семейства вольт-амперных характеристик фотодиода соответствует фотогальваническому режиму работы фотодиода. [12]
 |
Светоизлучающие диоды. [13] |
По сравнению с вольт-амперными характеристиками фотодиодов они отличаются значительно большим тем-новым током, составляющим десятые доли миллиампер. [14]
 |
Схемы включения фотоэлектрических преобразователей. [15] |
Страницы: 1 2 3 4