Вольт-амперная характеристика - элемент
Cтраница 2
 |
Исследование графическим методом влияния последовательного ( я и шунтирующего ( в сопротивлений на тем-новые ( Л и световые ( 2 вольт-амперные характеристики идеального солнечного элемента. [16] |
Аналогично влияние сосредоточенного сопротивления Rp оценивается посредством суммирования при одинаковых напряжениях токов, определяемых вольт-амперной характеристикой элемента при нулевом шунтирующем сопротивлении и прямой с ctgi Rp. В данном случае видно, что Isc сохраняет постоянное значение, тогда как Voc может немного измениться. [17]
Из (3.1) следует, что величина дифференциального сопротивления Ri остается неизменной в пределах линейного участка вольт-амперной характеристики элемента. [18]
 |
Сеточная модуляция. [19] |
Принцип действия устройств для амплитудной модуляции ( как и любой другой модуляции) основан на нелинейности вольт-амперной характеристики элементов модулируемого каскада передатчика. Таким нелинейным элементом обычно является электронно-управляемая лампа ( или транзистор), работающая на нелинейном участке вольт-амперной характеристики либо в режиме колебаний второго рода. Заметим, что с помощью линейного элемента или при работе на линейном участке вольт-амперной характеристики модуляция неосуществима. [20]
При использовании метода нагрузочных линий для 3-выводных элементов ( например, для лампы или транзистора) строят семейство вольт-амперных характеристик элемента. Выходное напряжение для заданного входного сигнала можно получить, если спроектировать на ось напряжения отрезок нагрузочной линии, заключенный между точками ее пересечения с вольт-амперными характеристиками, соответствующими входному сигналу. На примере показано напряжение стока для изменения напряжения на затворе ( входного) от значения потенциала земли до - 2 В. [21]
Здесь Е - ri соответствует абсциссам прямой на рис. 1 - 20, б, а и - абсциссам вольт-амперной характеристики элемента на том же рисунке. Аналогичный про - 1 цесс будет происходить при случайном снижении тока. [22]
Опыт был задуман таким образом, что капсулы с термисторами в процессе облучения могли наклоняться, что обеспечивало возможность измерения вольт-амперных характеристик элементов в жидкости и в сухом состоянии. [24]
Будем называть зависимость напряжения на зажимах элемента с сопротивлением от тока в нем и / ( /) а также обратную зависимость i ( p ( w) характеристиками элемента. Одно из существенных своеобразий нелинейных цепей заключается в том, что вольт-амперные характеристики элементов могут неоднозначно отображать взаимные связи между токами и напряжениями. Так, например, ВАХ, которая имеет аналитическое выражение в виде и - ai2, для любого заданного тока в элементе однозначно определяет напряжение на зажимах элемента. В то же время из выражения i u / a следует, что для любого положительного напряжения ток имеет два значения. Более того, для и 0 физически приемлемое решение в виде вещественных значений тока вообще отсутствует. Заметим, что нелинейный элемент с такой ВАХ не может быть пассивным. Действительно, при г О имеем p ui - ai3 0, и поэтому такой элемент для токов i О является источником энергии. [25]
Механизм токопрохождения объясняет и принцип работы пленочного элемента. Поэтому важно знать основные свойства механизмов токопрохождения и уметь определять эти механизмы по вольт-амперной характеристике элемента. [26]
Рассмотренная макромодель обладает достаточной гибкостью. Она легко может быть преобразована в макромодель элемента ИЛИ - НЕ при замене функции управляющего напряжения на Umax UA, UB или в макромодель триггера введением в управляемый источник другой управляющей функции, которая является кусочно-линейной аппроксимацией вольт-амперной характеристики бистабильного элемента. [28]
Другой пример существования пространственных неоднородностей ( играющих чрезвычайно важную роль в солнечных элементах) связан с вариациями скорости поверхностной рекомбинации носителей из-за наличия контактной сетки. Если диффузионный слой обладает такими свойствами, при которых / о определяется преимущественно скоростью поверхностной рекомбинации S ( как следует из рис. 2.6, в этом случае 0 1 SL / D 100 и y / L 0 1), то вольт-амперные характеристики элементов могут значительно ухудшиться даже при малой площади контактной сетки, составляющей лишь 5 - 10 % площади поверхности элементов. [29]
 |
Выходные характеристики АТГ. [30] |
Страницы: 1 2 3