Выходная вольт-амперная характеристика

Cтраница 2

Уравнение (9.22) описывает статические выходные вольт-амперные характеристики фототранзистора. [16]

Выходные харакетристики полевого транзистора с управляющим /. - - переходом и каналом л-типа. [17]

На рис. 5.5 приведены выходные вольт-амперные характеристики ПТУП с каналом л-типа. Характеристики других типов транзисторов имеют аналогичный вид, но отличаются напряжением на затворе и полярностью приложенных напряжений. [18]

Основой графического расчета являются входные и выходные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. Вольт-амперные характеристики транзистора, полученные без включения нагрузки во внешнюю цепь, называются статическими, а при включении нагрузки - динамическими. [19]

Они отличаются хорошей линейностью выходной вольт-амперной характеристики в широком диапазоне напряжений и токов и поэтому удобны для аналоговых схем. [20]

Структура полевого фототранзистора и схема его включения. [21]

Сравнивая эти характеристики с выходными вольт-амперными характеристиками обычного транзистора, можно заметить, что приращение коллекторного тока в первом случае происходит за счет увеличения базового фототока от светового потока или от увеличения тока базы во втором случае. [22]

Простейшая схема дифференциального каскада. [23]

Исходную рабочую точку на семействе выходных вольт-амперных характеристик транзистора Т3, так же как и транзисторов Т, и Т2, выбирают в области, где коллекторный ток весьма слабо зависит от напряжения на коллекторе. [24]

На рис. 1 - 55 приведены экспериментальные выходные вольт-амперные характеристики пленарного транзистора. [25]

Схема включения с общим эмиттером ( а, семейство выходных вольт-амперных характеристик ( б и график зависимости токов транзистора от напряжения на эмиттерном переходе ( в. [26]

На рис. 2.3, б изображены выходные вольт-амперные характеристики транзистора типа р-п - р, включенного по схеме с общим эмиттером. [27]

На рис. 2 а и б показаны входные и выходные вольт-амперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Величина сопротивления насыщения лежит в пределах сотых долей ома. На рис. 3 приведена зависимость статического коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером Вст от тока коллектора. Предельные параметры транзистора сведены в таблице. [28]

Схема для снятия вольт-амперных характеристик транзистора включенного по схеме с ОЭ 46.| Входные ( а и выходные ( б вольт-амперные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [29]

На рис. 5.9 приведена схема для снятия статических входных и выходных вольт-амперных характеристик. [30]

Страницы: 1 2 3 4