Прямая вольт-амперная характеристика
Cтраница 2
 |
Схемы замещения вентиля. [16] |
Схема замещения для прямого направления, представленная на рис. 26 а, получена путем линеаризации прямой вольт-амперной характеристики. [17]
Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из паровой фазы, обладают плохими диодными характеристиками. Диодный коэффициент элементов с р-я-переходом и барьером Шоттки, рассчитанный исходя из прямых вольт-амперных характеристик, равен соответственно 3 9 и 2 8, тогда как для монокристаллических элементов с р-я-переходом значение этого коэффициента составляет 1 8, а для идеальных барьеров Шоттки-1. В тонкопленочных элементах с р-я-пе-реходом плотность обратного тока насыщения на несколько порядков величины выше, чем в монокристаллических элементах, имеющих аналогичный профиль распределения примесей, а в солнечных элементах с барьером Шоттки - существенно больше, чем в элементах с р-я-переходом. Большие обратные токи в тонкопленочных элементах, создаваемых на подложках из стали, связаны с малым размером зерен в пленках Si и наличием механических напряжений в области перехода. В случае использования кремниевых пленок, нанесенных на подложки из графита [20], элементы обладают лучшими выпрямляющими свойствами. Значение диодного коэффициента, найденное из прямых вольт-амперных характеристик данных элементов и равное - 1 9, сравнимо с его значением в монокристаллических элементах, что свидетельствует о слабом влиянии границ зерен в этих пленках на процесс протекания тока. [18]
 |
Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [19] |
Еще одна трудность, возникающая при формировании контакта Шоттки, связана с возможностью возникновения сильных полей на краях контакта, что может приводить к существенному уменьшению напряжения пробоя диода. В этом случае диод Шоттки за-шунтирован р - п-переходом, который при прямом смещении почти не инжектирует из-за существенной разницы в размахах прямых вольт-амперных характеристик перехода Шоттки, образованного, например, между А1 и Si л-типа, и кремниевого р - / г-перехода. Хотя наличие охранного кольца не приводит к заметному накоплению неосновных носителей в п-области при прямом смещении диода Шоттки, такой способ нейтрализации краевых эффектов нельзя признать наилучшим из-за существенного увеличения барьерной емкости диода за счет емкости р - я-перехода. [20]
 |
Схема усилителя постоянного тока. [21] |
Входное сопротивление цепи база - эмиттер, в которой протекает ток / в, изменяется в зависимости от температуры окружающей среды и режима работы транзистора. Вольт-амперная характеристика перехода база - эмиттер близка по виду к прямой вольт-амперной характеристике полупроводникового диода. [22]
Теми же авторами [ Ponpon, Siffert, 1977 ] исследованы структуры с барьерами Шоттки на основе и - CdTe в сочетании с различными металлами. В отличие от структур на основе Si при использовании Аи и CdTe барьер образуется непосредственно после нанесения металла. Тем не менее при выдержке диода на воздухе наблюдается увеличение Voc. Изучение влияния продолжительности выдержки в обычных условиях на прямые вольт-амперные характеристики показало, что их изменение вызвано в основном колебаниями коэффициента А, тогда как значения / 0 остаются практически постоянными. [23]
 |
Схема силовой выпрямительной установки тепловоза ТЭ109 и одного из ее плеч. [24] |
Параллельное соединение вентилей применяют для получения выпрямленного тока большой величины. Их число выбирают так, чтобы проходящий прямой ток вентиля не превышал номинального-значения. При таком соединении возникает неравномерное распределение тока между вентилями вследствие различия их вольт-амперных характеристик. Неравномерность распределения тока по отдельным параллельным ветвям снижается подбором вентилей одной группы с примерно одинаковыми прямыми вольт-амперными характеристиками. [25]
Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из паровой фазы, обладают плохими диодными характеристиками. Диодный коэффициент элементов с р-я-переходом и барьером Шоттки, рассчитанный исходя из прямых вольт-амперных характеристик, равен соответственно 3 9 и 2 8, тогда как для монокристаллических элементов с р-я-переходом значение этого коэффициента составляет 1 8, а для идеальных барьеров Шоттки-1. В тонкопленочных элементах с р-я-пе-реходом плотность обратного тока насыщения на несколько порядков величины выше, чем в монокристаллических элементах, имеющих аналогичный профиль распределения примесей, а в солнечных элементах с барьером Шоттки - существенно больше, чем в элементах с р-я-переходом. Большие обратные токи в тонкопленочных элементах, создаваемых на подложках из стали, связаны с малым размером зерен в пленках Si и наличием механических напряжений в области перехода. В случае использования кремниевых пленок, нанесенных на подложки из графита [20], элементы обладают лучшими выпрямляющими свойствами. Значение диодного коэффициента, найденное из прямых вольт-амперных характеристик данных элементов и равное - 1 9, сравнимо с его значением в монокристаллических элементах, что свидетельствует о слабом влиянии границ зерен в этих пленках на процесс протекания тока. [26]
Страницы: 1 2