Стоковая характеристика

Cтраница 1

Стоковые характеристики ( рис. 4.6) имеют крутой начальный участок /, соответствующий режиму неперекрытого канала, и пологий участок 2, соответствующий режиму перекрытого канала, или насыщения. Разделяющее эти участки напряжение насыщения t / си нас зи - пор не зависит от длины канала. Наклон ВАХ в режиме насыщения определяется эффектом модуляции длины канала, слабее выраженным при большой длине канала. [1]

Стоковые характеристики полевого транзистора по своему виду напоминают анодные характеристики пентода. [2]

Стоковые характеристики ПТ разных структур и типов приведены на рис. 16.21. Условно их можно разбить на четыре области: крутую, пологую, пробоя и возникновения прямых токов затвора. При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение / с, и если мощность рассеивания на стоке превышает допустимую, то происходит необратимый пробой участка затвор - сток. При подаче на вход ПТ запирающего напряжения увеличивается разность потенциалов между затвором и стоком. [3]

Стоковые характеристики ПТ разных структур и типов приведены на рис. 16.21. Условно их можно разбить на четыре области: крутую, пологую, пробоя и возникновения прямых токов затвора. В крутой области наблюдается резко выраженная зависимость тока стока / с от напряжений сток - исток UCH и затвор - исток [ / зи. Здесь транзистор ведет себя как сопротивление, управляемое напряжением Um. При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение / с, и если мощность рассеивания на стоке превышает допустимую, то происходит необратимый пробой участка затвор-сток. При подаче на вход ПТ запирающего напряжения увеличивается разность потенциалов между затвором и стоком. [4]

Условные обозначения полевых транзисторов.| Схемы включения полевого транзистора. [5]

Изгиб стоковых характеристик на рис. 5 - 10, б кверху справа от пологих участков соответствует пробою полупроводника. [6]

Семейство выходных характеристик и-ка-налмюго ПТ с р - л-переходом типа 2N5484. зависимость / с ( Уи Р 1 различных значениях 6ГЭИ при полном масштабе изменений параметров ( и и на начальном участке ( б. [7]

Из стоковых характеристик ПТ ( рис. 3.17) видно, что ток будет приблизительно постоянным при UCM больше 2 В. Однако в силу разброса / Сиа, величина этого тока непредсказуема. И все же эта схема привлекает своей простотой двухвыводного устройства, дающего постоянный ток. Существуют дешевые серийные диодные стабилизаторы тока, представляющие собой всего лишь отобранные по току ПТ с - - переходом, у которых затвор соединен со стоком. [8]

Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с р - - переходами приведено на рис. 58, а. Однако с возрастанием тока / с увеличивается падение напряжения на сопротивлении канала, что ведет к росту обратного смещения р - n - перехода. Обратное напряжение на р - - переходе увеличивается в направлении от истока к стоку. Соответственно ширина р - n - перехода в этом направлении растет, а токопроводящий канал сужается, что замедляет рост тока. [9]

Статические стоковые ( а и стоко-затворные ( б характеристики полевого транзистора с управляющим переходом и каналом - типа. [10]

Рассмотрим стоковую характеристику, которая соответствует условию [ / зи0, что означает короткое замыкание затвора со стоком. [11]

На стоковых характеристиках МДП-трашисторов также наблюдается участок насыщения, обусловленный увеличением сопротивления канала при повышении напряжения на стоке. [12]

Схематическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором. Индуцированный проводящий канал п-типа. [13]

Парабола пересекает стоковую характеристику при ug 0 в точке М, имеющей координаты ud - - Up и id - loss, называемый стоковым током насыщения. [14]

Принципиальная схема. [15]

Страницы: 1 2 3 4