Экспоненциальная характеристика

Cтраница 1

Эквивалентная схема заряда емкости.| Экспоненциальная характеристика заряда емкости. [1]

Экспоненциальная характеристика (8.26) показана на рис. 8.13. Точка ty, Ucp, соответствующая равенству (8.27), находится на этой характеристике. Отклонение АС / может быть вызвано наличием остаточного напряжения Ua. [2]

ОУ, соединенный для получения логарифмической функции. Диод ориентирован - на положительный бцх.| ОУ, соединенный для получения экспоненциальной ( антилогарифмической функции, показан для положительных значений евх. Для Л1 евых йехр ( - й евх, где k и k - безразмерные константы. [3]

Логарифм переменной может быть получен путем использования экспоненциальной характеристики ря-перехода при прямом включении. На рис. 27 - 13 показана схема соединения. [4]

Спектральная характеристика люминофора Р24. [5]

Как правило, силикаты и фосфаты имеют экспоненциальную характеристику затухания. Этот тип затухания по многочленной экспоненциальной кривой указывает на то, что в этих фосфорах имеются два или более независимо возбуждаемых состояний ловушек. [6]

Влияние объемного сопротивления базы на прямую характеристику реального диода. [7]

Оценим величину тока, при котором наступает вырождение экспоненциальной характеристики. [8]

Оценим значение тока, при котором наступает вырождение экспоненциальной характеристики. [9]

Поэтому при достаточно большом токе всегда превалирует напряжение U6 и экспоненциальная характеристика диода вырождается. [10]

Последние обеспечивают большую простоту регулировки таких устройств по сравнению с экспоненциальными характеристиками, а также отсутствие рассогласования при наличии амплитудно-частотных искажений в промежуточном тракте. Компенсация вызываемых управляющим напряжением вторичных устанавливающихся процессов ( щелчков) происходит в этом случае внутри самой схемы управляемого элемента при соответствующем подборе его плеч. Кроме того, в контактных элементах получается более выгодное, чем в ламповых схемах, соотношение между переменной составляющей и изменениями постоянной составляющей напряжения при регулировке. Это также приводит к меньшему относительному уровню щелчков. [11]

Поэтому при достаточно большом токе всегда превалирует напряжение t / б и экспоненциальная характеристика диода вырождается. [12]

Аналоговое умножение при помощи логарифмических и экспоненциальных схем. [13]

Напряжения ut и uz вначале преобразуют логарифмическими схемами в напряжения, пропорциональные lg i и lg 2, затем суммируют и подают на схему с экспоненциальной характеристикой. Напряжение, получаемое на выходе, пропорционально произведению напряжений и Цг. Схема работает правильно только при положительных значениях ui и uz, так как логарифм определен только для положительных чисел. [14]

Сравнивая ( 2 - 65) и ( 2 - 70в), нетрудно заметить, что токи / и If, близки друг ДРУГУ, т - е - вырождение экспоненциальной характеристики в омическую совпадает с переходом от низкого к высокому уровню инжекции. [15]

Страницы: 1 2