Хвост - плотность - состояние
Cтраница 1
Хвост плотности состояний в запрещенной зоне проявляется в межзонном оптич. Однако в целом электронные зоны в аморфных и кристаллич. [1]
Хвост плотности состояний при Е 3 А получается за счет пар аномально близко расположенных ям с г % С п - 1 3, состояния при малых Б С А - за счет нерезонансных и уединенных ям. [2]
Прямое доказательство существования хвоста плотности состояний в запрещенной зоне сильно легированного GaAs было получено автором [60] при исследовании избыточного тока туннельных диодов. [3]
Ко второй группе относится исследование хвоста плотности состояний, распространяющегося в глубь запрещенной зоны. [4]
Однако имеются указания на образование хвостов плотности состояний, в частности у валентной зоны. [6]
 |
Образование хвостов плотности состояний вследствие флуктуации, а-V ( x и N ( E для частицы в ящике с гладким потенциалом. б - эффект флуктуации V ( x на N ( E. [7] |
Рассмотрим характер электронных состояний при энергиях, соответствующих хвосту плотности состояний ( или. Это не имеет места в хвосте плотности состояний. Соответствующие состояния могут быть локализованными в том смысле, что электрон, помещенный в некоторую область пространства с отрицательной флуктуацией потенциала, не может при нулевой температуре диффундировать в другие области с аналогичными флуктуациями потенциала. [8]
Все вместе, по-видимому, дает довольно сильные указания на существование хвоста плотности состояний, распространяющегося примерно на 0 12 эВ выше края параболической валентной зоны. Возможно, существует также хвост и у зоны проводимости, но в пользу такой возможности имеется мало данных. [9]
& сле создания инжекционных лазеров интерес к форме примесной зоны и хвостам плотности состояний основных зон значительно возрос. Без детального знания этих величин невозможно установить механизм генерации. Наличие хвостов и их форма определяют характер зависимости коэффициента усиления от накачки, зависимость порогового тока и мощности генерации от коэффициента потерь и температуры. Контур полосы люминесценции и край фундаментальной полосы поглощения также связаны с хвостами зон. [10]
В вырожденных полупроводниках р-типа уровень Ферми может находиться в валентной зоне ниже хвоста плотности состояний. [11]
Сравнивая расчетные кривые для плотности состояний и спектра поглощения можно заключить, что характер спада хвоста Урбаха определяется характером спада хвоста плотности состояний. [12]
Сравнивая расчетные кривые для плотности состояний и спектра поглощения можно заключить, что характер спада хвоста Урбаха определяется характером спада хвоста плотности состояний. [13]
При изучении кристаллических материалов довольно рано было установлено, что флуктуации потенциала, вызываемые примесями в полупроводнике, приводят к образованию хвостов плотности состояний у краев зон. Это вполне очевидно, если рассмотреть частицу в ящике в качестве модели электронных состояний вблизи дна зоны, как это показано на рис. 5.7, и ввести флуктуации потенциала. [14]
В рамках этой модели появление колоколообразной составляющей при диссоциативной адсорбции воды объясняется выключением части состояний из квазинепрерывного спектра и возникновением рекомбинации между образующимися хвостами плотности состояний. [15]
Страницы: 1 2 3