Хелфриха

Cтраница 1

Хелфриха, рассмотренный в предыдущих параграфах и реализующийся в любых полях: однородном и неоднородном, постоянном и переменном. [1]

Марка - - Хелфриха ( когда диффузионные токи не учитываются), и точной теорией для случая / 4 при различных условиях блокирования на тыловом электроде. Верхние кривые на рис. 2.7.8 отвечают случаю, когда оба электрода являются омическими. Этот эффект становится более выраженным с понижением величины у ( 1) и увеличением значения I. [2]

Прежде всего обсудим критерий неустойчивости Карра - Хелфриха. Строго говоря, равенство Ае О не является этим критерием, поскольку и в отсутствие диэлектрического момента неустойчивость возникает при конкуренции момента, индуцированного электропроводностью, с упругим моментом. На самом деле критерием является вообще не величина Ае, а вид исходной ориентации НЖК. [3]

Аномальная ориентировка модекул НЖК в электрическом поле. Сплошная линия - распределение директора в ( х, штрих-пунктирные линии - линии потока жидкости. Черточки - ано. [4]

Все эти случаи могут быть интерпретированы в рамках рассмотренной модели Кар-ра - Хелфриха. [5]

Домены типа отпечатков пальцев на частотах сотс1 ( о в цилиндрические домены на частотах а т 1 ( 6 в легированной МББА ( Де 0 при гомеотропной ориентации ( d 20 мкм, Т. [6]

Таким образом, из всех имеющихся в литературе сообщений о неустойчивостях в НЖК с Де О мы в первую очередь выделим те, где наблюдались домены, образованные по механизму Карра - Хелфриха. [7]

Наоборот, из планарной ориентации ЭГД неустойчивость должна возникать как при Ае 0, так и при Ае 0, что и наблюдается на опыте. Хелфриха возникнуть не может. Иногда эта неустойчивость проявляется во время переходного процесса переориентации. [8]

В [39] предполагается тот же характер отклонения директора, но по другой причине, которая, по мнению авторов, обусловлена флексоэлектрическим эффектом. Модель Kappa - Хелфриха при этом перестает работать, о чем свидетельствует исчезновение доменов Капустина - Вильямса. Но диэлектрический режим в теории Орсе ( раздел 5.3.4) был выведен в рамках модели Кар-ра - Хелфриха. Тот факт, что высокочастотная неустойчивость с пороговым полем Еа - со1 сохраняется, лишний раз свидетельствует о другом ( изотропном) механизме, лежащем в ее основе. Этот механизм должен работать и в смектической фазе, но вязкость смектики А, связанная с эффектом проникания, должна учитываться. [9]

Как мы уже видели в предыдущем параграфе, за счет диэлектрического момента можно непрерывно изменять ориентацию директора в с-фазе, но нельзя сделать этого в смек-тике А, не создав при этом дефектов структуры. Возникает вопрос: а возможна ли ориентация директора за счет момента Ма, индуцированного анизотропией электропроводности. Это важно знать, чтобы оценить возможность наблюдения ЭГД неустойчивости в смектических фазах, в основе которой лежал бы механизм Карра - Хелфриха. Из общих соображений можно ожидать, что момент Ма должен при определенной геометрии опыта вызывать аномальную ориентировку директора смектики С ( без перестройки слоистой структуры), а в смектике А вызывать текстурные перестройки типа неустойчивости Пароди. Однако прямых экспериментов в этом направлении, насколько нам известно, пока не сделано. Существуют, правда, косвенные доказательства механизма аномальной ориентировки смектических мезофаз, полученные в работах Карра. Критическая частота, как и следует ожидать, определяется электропроводностью вещества. [11]

Имеется достаточное число наблюдений ЭГД неустойчивости в виде доменных картин или динамического рассеяния света в нематических фазах с положительной диэлектрической анизотропией. Попытки объяснения этих явлений весьма противоречивы и совершенно запутывают читателя. А между тем проблема эта имеет достаточно четкую интерпретацию, основанную на привлечении только двух рассмотренных выше моделей - изотропной и модели Карра - Хелфриха. [12]

Физическая картина, описывающая возникновение электрогидродинамической неустойчивости в жидких кристаллах, значительно сложнее, чем для случая ори-ентационных электрооптичеоких эффектов. Принципиальную роль здесь играют ток, проходящий через слой жидкого кристалла, и неоднородный объемный заряд. Под действием электрического поля в слое жидкого кристалла развиваются гидродинамические потоки. Карра - Хелфриха 15 ], проводящий режим), и механизмы, имеющие место в любой жидкости как для постоянного ( механизм Фелиси [16]), так и для переменного ( диэлектрический режим) [17] электрического поля, визуализация которых оказывается возможной благодаря оптической анизотропии жидких кристаллов. [13]

Можно создавать электроны и дырки по отдельности, в разных областях кристалла, а затем при помощи электрического поля сводить эти носители вместе. Этот процесс приводит к электролюминесценции. Позднее Хелфрих и Шнейдер [167] использовали инжектирующие электроды. Так, в кристалле антрацена при приложении электрического поля между электродами из золота и из щелочного металла, например натрия, на противоположных гранях кристалла можно было возбуждать синглетные и триплетные экситоны. Таким образом, если зарядить электрод из золота положительно, а натриевый - отрицательно, то в образце потечет ток, и в результате в объеме кристалла будет происходить рекомбинация носителей с испусканием света. Было показано, что при рекомбинации образуется в три раза больше триплетных экситонов, чем синглетных, что согласуется со статистическим ожиданием. По данным Хелфриха [166], на каждые 2 5 акта рекомбинации носителей образуется примерно один синглетный экситон. [14]

Страницы: 1