Простой инвертор

Cтраница 2

Это обусловлено противоречием, возникающим при выборе коллекторного сопротивления в простом инверторе. Действительно, при нулевом выходном напряжении, когда транзистор насыщен, целесообразно для уменьшения расхода энергии иметь возможно большее сопротивление. При запертом же транзисторе это сопротивление желательно иметь возможно меньшим для уменьшения выходного сопротивления инвертора. В сложном инверторе указанное противоречие удачно разрешается. [16]

Для увеличения нагрузочной способности и повышения помехоустойчивости в ТТЛ схемах вместо простого инвертора на одном транзисторе часто используют специальные каскады усиления мощности на двух-трех транзисторах. [17]

Логический элемент И-НЕ на КМОП-транзисторах.| Логический элемент ИЛИ-НЕ на КМОП-транзисторах. [18]

Как видно из рисунков, каждая из этих схем состоит из двух простых инверторов. В элементе И-НЕ выходные транзисторы этих инверторов соединены последовательно, а в элементе ИЛИ-НЕ - параллельно. [19]

Элемент ДТЛ с двухступенчатой логикой на входе. [20]

Другой особенностью является то, что сложный инвертор в обоих состояниях имеет меньшее выходное сопротивление, чем простой инвертор. Большой коэффициент усиления позволяет уменьшить сопротивление 3, а переключательный характер цепи - сохранить невысокую мощность рассеяния. [21]

С развитием и совершенствованием технологии базовым для ТТЛ стал ключ со сложным инвертором, который позволил практически полностью устранить недостатки схем с простыми инверторами. Транзистор VT4 рассчитан на большой рабочий ток и имеет малое время выхода из режима насыщения при переключении схемы. Через этот транзистор стекают на землю входные токи ключей-нагрузок. Способность рассматриваемой схемы работать на большую емкостную нагрузку при высоких скоростях переключения объясняется тем, что в них как заряд, так и разряд нагрузочной емкости происходит через низко-омную выходную цепь. При UBXt 0 ( на один из эмиттеров VT1 подан потенциал корпуса) переход база - эмиттер ( б - э) транзистор VT1 открыт. Потенциал на базе VT4 близок к нулю и транзистор VT4 закрыт. Потенциал на коллекторе VT2 и на базе VT3, близкий к напряжению источника питания 5 В, открывает б - э переход VT3 и р - п переход VD, вызывая в нагрузке ток Лвых. [22]

Высокая нагрузочная способность элемента в открытом статическом состоянии ( при открытых 7 и Т3) достигается благодаря тому, что максимальное число выходов m определяется общим коэффициентом передачи транзисторов 7 и Т3, равным произведению В1 В3 и значительно превышающим значение В одного транзистора в ранее рассмотренной схеме с простым инвертором. [23]

МЭТ от обычных транзисторов заключается в том, что он имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними через разъединяющий их участок пассивной базы практически исключается. Элемент И - НЕ, выполненный на МЭТ с простым инвертором ( на интегральной микросхеме) показан на рис. 22, а. En, соответствующие 1 ( U1BX), эмиттеры VT1 смещены в обратном направлении. [24]

Возможна схема ТТЛ и с простым инвертором. Однако схема со сложным инвертором имеет преимущества перед схемой с простым инвертором: больше коэффициент разветвления, меньше выходное сопротивление, менее жестки требования к параметрам многоэмиттерного транзистора, больше допустимый уровень помех. [25]

Схема, контролирующая появление паузы ( размыкание контактов транслирующего реле) после каждого замыкания шлейфа, работает аналогично. Во время каждой паузы внутри серии транслированных импульсов транзистор Т2 работает как простой инвертор. Положительный перепад формируемого импульса служит для проверки возврата контактов транслирующего реле в исходное состояние. [26]

Диоды ДСм1 и ДСы2 предназначены для увеличения порога запирания схемы, а следовательно для увеличения ее помехоустойчивости. Смещающие диоды включают для того, чтобы падение напряжения на входных диодах не влияло на переключение транзистора. Простой инвертор выполняет логическую функцию НЕ и усиление сигнала. Необходимым элементом схемы является резистор R %, который в закрытом состоянии инвертора задает ток через смещающие диоды. При подключении к резистору Rz отдельного источника питания увеличиваются быстродействие и порог запирания схемы. Поскольку элементарные логические операции И ( ИЛИ) и НЕ осуществляются различными элементами схемы ДТЛ, легко увеличить число входов путем добавления входных диодов. [27]

Вход х0 используется для подключения специальной схемы расширителя, которая позволяет построить схему И - НЕ на большее число входов. Расширитель входит в состав сери схем ДТЛ. Кроме того, вход х0 дает возможность использовать элементы в качестве простого инвертора. Увеличение числа входов ведет к снижению быстродействия схемы. [28]

Схема И-НЕ, приведенная на рис. 1.4, б, работает следующим образом. При UBX Пор на входах схемы переключательные транзисторы открыты. На выходе схемы устанавливается напряжение U0, значение которого в п раз выше, чем в простом инверторе. [29]

Основные логические схемы ТТЛ с простым ( а и сложным ( б инверторами. [30]

Страницы: 1 2 3