Летучие хлорид

Cтраница 1

Летучие хлориды образует ряд элементов, в том числе Sb, Ge, Sn, Те, Se, Hg, Re и Mo. Тетрахлорид германия кипит при 86 С, SnCl4 при 115 С, a SbCl3, несмотря на более высокую температуру кипения ( 220 С), обладает достаточной летучестью уже при 130 С. Если проводить дистилляцию при температуре не выше 108 С, можно отделить мышьяк от большинства элементов, однако мешающее влияние могут оказывать Ge, Hg и Se. [1]

Летучие хлориды широко используют в современной технике для выращивания монокристаллов, эпитакснальных слоев и синтеза полупроводниковых соединений. [2]

Зависимость коэфф. распределения лантанидов между раствором 15 6 н. HNO3 и трибутилфосфатом от атомного номера элемента.| Примерная схема - - - - - - 1 - - - - - . [3]

Летучие хлориды титана, ниобия, тантала ц ряда других элементов удаляются с газами. В печи остается расплав хлоридов РЗЭ. [4]

Зависимость коэфф. распределения лантанидов между раствором 15 6 н.| Примерная схема - - - - - - 1 - - - - - . [5]

Летучие хлориды титана, ниобия, тантала и ряда других элементов удаляются с газами. В печи остается расплав хлоридов РЗЭ Хлориды растворяют в воде и из раствора выделяют смесь Л напр. [6]

Летучие хлориды элементов III группы периодической системы подвергаются глубокой очистке кристаллизационными методами пока лишь в лабораторных масштабах. В работе [16] были получены кристаллы галлия n - типа проводимости из треххлористого галлия, подвергнутого зонной плавке. Это означает, что при многократном прохождении расплавленной зоны вдоль слитка, по крайней мере, половина слитка может быть с достаточной степенью освобождена от указанных примесей. [7]

Плотность летучих хлоридов также возрастает в группах периодической системы сверху вниз. Исключение составляет четыреххлористый кремний, который в своей группе имеет наименьшую плотность. Для оценки возможности применения метода противоточной кристаллизации из расплава для очистки летучих хлоридов важное значение имеет относительная разность плотности жидкой и твердой фаз. Зависимость плотности от температуры хорошо изучена для жидких хлоридов и недостаточно изучена для хлоридов в твердом состоянии, особенно вблизи точки плавления. [8]

Для остальных летучих хлоридов этой группы изучены диаграммы состояния в системах СС14 - SiHCl3 [28], СС14 - ТеС14 [29], SnCl4 - Si. [9]

Из летучих хлоридов элементов V группы периодической системы достаточно полно рассмотрен процесс кристаллизационной очистки треххлористого мышьяка. Наиболее трудно удаляемой примесью является хлороформ. Разработана конструкция кристаллизационной колонны, позволяющая осуществлять в оптимальном режиме противоток расплава и кристаллов. Результаты этих исследований показывают, что треххлористый мышьяк может быть очищен методом противоточнои кристаллизации до высокой степени чистоты. [10]

Способ получения летучих хлоридов металлов из их руд. [11]

Ряд реагентов образует летучие хлориды, а они частично или полностью улетучиваются из горячих солянокислых растворов. Из указанных растворов способны в некоторой степени улетучиваться также оксихлориды селена и теллура. В присутствии хлорид-ионов некоторые другие элементы также улетучиваются из горячих концентрированных растворов хлорной и серной кислот. К ним относятся висмут, марганец, молибден, таллий, ванадий и хром. [12]

Зависимость количества ва.| Зависимость количества никеля, отложившегося на поверхности катализатора, от температуры и длительности сульфирования. [13]

При этом получаются летучие хлориды ванадия и железа. Нелетучий хлорид никеля легко удаляется водной промывкой. [14]

Для глубокой очистки летучих хлоридов используется весь арсенал методов разделения веществ. В настоящее время определились следующие основные методы: химические, адсорбционные, дистилляционные и кристаллизационные. Из кристаллизационных методов наиболее перспективен метод противоточной кристаллизации из расплава. Этот метод так же, как и метод ректификации, не требует применения каких-либо реагентов, растворителей и сорбентов. Другим достоинством этого метода является меньшая вероятность загрязнения очищаемого вещества материалом аппаратуры вследствие низкой температуры проведения процесса, что имеет существенное значение для большинства указанных хло - РИДОВ. [15]

Страницы: 1 2 3 4