Ход - потенциал
Cтраница 1
Ход потенциала на схемах I, в и II, в объясняется тем, что электроны ( схема /, в) из объема окисной пленки переходят как на внешнюю ее поверхность, так и в металл; в другом случае ( схема / /, в) электроны, наоборот, переходят из металла в окис-ную пленку, а оттуда уже в большем количестве - на внешнюю поверхность пленки. [1]
Ход потенциала подробно показан на фиг. [2]
 |
Расчетные зависимости тока от напряжения на р - и-переходе туннельного диода. [3] |
Зная ход потенциала, Иванчик вычисляет туннельный ток, выражение которого довольно громоздко, и поэтому здесь не приводится. Достаточно сказать, что формулу Иванчика, данную им в виде интеграла, можно представить полиномом восьмой степени, чтобы стало ясным, насколько трудно ее сопоставить с результатами эксперимента. [4]
Исследование хода потенциала после прекращения действия излучения ( рис. 2) показывает, что до интегральных доз - 5 - Ю20 эв / см3, при которых содержание двухвалентного железа остается еще-1 - Ю 3 М потенциал остается постоянным после выключения. Это показывает, что соотношение [ 62, установившееся при облучении, остается неизменным. При более высоких интегральных дозах при выключении наблюдается рост потенциала. [5]
Мы рассмотрели ход потенциала в р - тг-переходе, когда распределение примесей имеет крутой фронт. Конечно, получить строго прямоугольный фронт, показанный на рис. 42, а, практически нельзя. Но если ширина фронта распределения примесей меньше, чем толщина слоя объемного заряда SJ, то размытость фронта не играет существенной роли и ее можно не учитывать. [6]
 |
Изменение высоты потенциального барьера при приложении внешнего напряжения к р-га-переходу. [7] |
Мы рассмотрели ход потенциала при тонком р - и-переходе, когда распределение примесей имеет крутой фронт. [8]
Неведомый нам ход потенциала электрического поля в плазме, через которую пролетает пробная частица, удается восстановить, изучая смещение траектории частицы с заданной энергией от ее первоначального положения. Альтернативный вариант состоит в измерении пролетного времени в зависимости от начальной энергии зондирующей частицы. [10]
Прежде всего рассмотрим ход потенциала в плоском конденсаторе. Так как вне неограниченного плоского конденсатора поле отсутствует, а внутри напряженность равна 4тгсг, то ход функции р ( х ] представляется ломаной с отрезками, параллельными оси х вне конденсатора. [11]
Сплошная линия - ход потенциала в пустоте, пунктирная - в электролите. На следующем рисунке ( рис. 206) для сравнения показан ход потенциала в межэлектродном промежутке, куда введены две сетки; их потенциалы видны из графика. Левая сетка заряжена отрицательно по отношению к аноду и имитирует отрицательный объемный заряд, правая - положительный. [12]
Интересным является различие хода потенциалов ионизации в главных и побочных подгруппах. Из графика, представленного на рис. 19.2, видно, что в каждой группе элементы по свойствам делятся на три ветви. Первая ветвь-это элементы II и III периодов, атомы которых не содержат с ( - электронов, в связи с этим они занимают в каждой из групп несколько обособленное положение. Две другие ветви характеризуют свойства элементов главной и побочной подгрупп. Существенно то, что имеет место закономерная тенденция в характере расположения линий при переходе от элементов одной группы к элементам другой. [13]
Распределение концентрации носителей и ход потенциалов в переходной области - р - га-переходе - определяются распределением примесей. [14]
Распределение концентрации носителей и ход потенциала в переходной области - р-п-переходе - определяется распределением примесей. [15]
Страницы: 1 2 3 4