Cтраница 4
В недавних работах были проведены тщательные определения числа протонов, числа зарядов и числа молекул АТФ, приходящихся на каждый из трех центров сопряжения в ЦПЭ ( ср. С помощью различных доноров и акцепторов электронов были получены результаты, схематически показанные на рис. 13.9. Каждый центр сопряжения имеет протонный насос, разделяющий 4 заряда ( 4 протона выходят из цитоплазмы в мат-рикс) - отношение Hf / центр 4 во всех трех центрах. [46]
Соединяют точку С с центром О. Перпендикуляр, восставленный к середине отрезка ОС, пересечет отрезок 2 - С в точке Ох - центре сопряжения. Вторая точка сопряжения / находится на пересечении линии центров 001 с окружностью. [47]
Основание I - овал с центрами сопряжения 1, 2, и 4, найденными с помощью ромба, как проекции квадрата, описанного относительно окружности верхнего основания цилиндра. Основание / / - овал, построенный на главных осях эллип4а АЛ и CD; Г, 2, 3 и 4 - центры сопряжения. [48]
Из вершины О прямого угла проводят дугу окружности радиусом R и получают точки сопряжения Л и В. Центр сопряжения находится на пересечении дуг, проведенных из точек А л В, как из центров, тем же радиусом R. Из центра сопряжения Ог проводят между точками Л и В дугу сопряжения. [49]
Первый вид сопряжения может получиться тогда, когда сопрягаемая прямая будет являться касательной к окружности т.е. когда точка сопряжения будет лежать на перпендикуляре, опущенном из центра дуги на прямую. При построении сопряжений следует вначале вычерчивать дуги окружности, а затем прямую. Расстояние между центрами сопряжения дуг должно равняться сумме их радиусов. [50]
Отрезок АВ делим на четыре конгруэнтных отрезка. Точки Ог и 02 являются центрами сопряжений. Из центра О проводим дугу радиусом К ОА до пересечения с перпендикуляром в точках 03 и 04 - центрах сопряжений. Соединяя точки Of с 03 и Oj с 04 прямыми, получаем линии центров. [51]
Сопряжение является регулярным, когда возникает определенное соответствие во взаимной ориентировке кристаллографических направлений, плоскостей или объемов, и нерегулярным, есл и в сопрягающихся решетках такое соответствие отсутствует. Кроме этого, возможно еще и размерное соответствие при авто-эпитаксйи или в случае незначительного различия параметров, когда в параллельных или эквивалентных кристаллографических направлениях, плоскостях или объемах имеет место одинаковая периодичность в расположении материальных частиц в vrmax обеих решеток. При этом под эквивалентными кристаллографическими элементами ( узловыми точками, прямыми, плоскостями, объемами) подразумеваются такие, которые переходят друг в друга при трансляции ( сдвиге) или же при определенной операции симметрии относительно общей плоскости, оси или центра сопряжения обеих решеток. Под частицами разумеются атомы, ионы, молекулы или другие группы ( например, ионные комплексы), находящиеся в узлах кристаллической решетки. [52]
Построение основано на том, что центр сопряжения О - вершина равнобедренного треугольника АВО, а вершины основания треугольника - точки сопряжения А я В. Так как точка сопряжения В неизвестна, то строят треугольник СО О, подобный треугольнику АВО. Для этого из точки сопряжения А восставляют перпендикуляр к прямой / и откладывают отрезок А С, равный радиусу Rt заданной окружности. Соединяют точки С и 0 и восставляют перпендикуляр к середине отрезка COV Пересечение этого перпендикуляра с перпендикуляром, проведенным из точки А к прямой /, есть центр сопряжения О. [53]
Переходим к рассмотрению регулярного сопряжения разнотипных по симметрии или по составу кристаллических решеток. Легко видеть, что для решеток, разнотипных по симметрии, невозможен случай трехпернодического регулярного сопряжения. Требование одновременно одинаковой или эквивалентной симметрии и близости значений параметров ( а, Ь, с, а, 3, - у) сопрягающихся решеток не может быть выполнено для веществ, относящихся к разным кристаллографическим системам или классам симметрии. Здесь под эквивалентной симметрией двух сопрягающихся кристаллических решеток подразумевается либо совпадение их при операции трансляции ( сдвиге), либо при другой операции симметрии относительно общей плоскости, оси или центра сопряжения, когда сопряженные решетки находятся в одинаковом положении или в положении мультикристалла. [54]