Cтраница 3
Центры шаров третьего слоя могут быть расположены над центрами первого слоя. В этом случае третий слой повторяет первый. [31]
Центры больших и малых шаров расположены в одной горизонтальной плоскости. [32]
Соединим центр шара с точками касания Л и В. [33]
Соединим центр шара с точками касания А к В. [34]
Обозначим центры шаров буквами OJ ( 02 и Оа, а их проекции на плоскость Я через Л, В и С. [35]
Поэтому центр шара, касающегося граней пирамиды, лежит на высоте ( а именно, на середине высоты, так как шар касается и оснований), а точка К. [36]
Поместим центр шара в начале координат и обозначим радиус шара через а. [37]
Пусть центром шара является точка S. Таким образом, роль опорного элемента в этом примере выполняет искомый радиус шара. [38]
В центре шара возникла полость сферической формы, вокруг нее сформировались две кольцевые зоны. Исследование микроструктуры и микротвердости показало, что в обеих зонах возникла структура бейнита ( вместо исходной феррито-перлитной), и что во внутренней зоне проходило плавление с последующей кристаллизацией и закалкой на бейнит. Во второй ( внешней) зоне происходило образование аустенита и последующая закалка на бейнит. Остаточные ( после разгрузки) температуры на внешних границах зон, таким образом, составляли 1500 С и 800 С. Пользуясь этими цифрами, ударной адиабатой железа и изэнтропами разгрузки, получаем значения давлений на внешних границах кольцевых зон: 200 ГПа и 140 ГПа, соответственно. На внутренних границах зон давление значительно больше. Так, давление на внутренней границе внешней кольцевой зоны равно давлению на внешней границе внутренней кольцевой зоны, то есть приблизительно в 1 5 раза больше. [39]
В центре шара при г 0 напряженность электрического поля равна нулю. [40]
Проводим через центр шара горизонтально-проектирующую плоскость R, перпендикулярную к плоскости Р; плоскость R пересекает поверхность шара по окружности, а плоскость Р - по прямой ( hv, h V); на их пересечении получаем низшую точку ( а, а) и высшую точку ( fj, ( 3) линии пересечения. [41]
Проводим через центр шара горизонтально-проектирующую плоскость R, перпендикулярную к плоскости Р; плоскость R пересекает поверхность шара по окружности, а плоскость Р - по прямой ( hv, / iV); на их пересечении получаем низшую точку ( а, а) и высшую точку ( Р, Р) линии пересечения. [42]
О - центр шаров, о которых говорится в условии задачи, - середина ММ. [43]
Итак, центр шара лежит в плоскости ASK. [44]
О обозначим центр шара; лежит он по условию на высоте S / C пирамиды. [45]