Поверхностный центр
Cтраница 1
Поверхностные центры, обнаруженные на катализаторах получения синтез-газа. [1]
Поверхностные центры сшшкагеля не обладают, ни окислительной, ни восстановительной способностью. Поэтому появление этих свойств у нанесенных jfteO - Si0g систем ( табл. 1) должно быть обусловлено образованием новых поверхностных центров, в состав которых входят ММ. [2]
Неоднородность поверхностных центров приводит к уширению распределения поверхностных состояний. Всегда было трудно четко разграничивать разные уровни взаимодействия между адсорбатом и поверхностью. Самое слабое взаимодействие отвечает случаю физической адсорбции, затем идут хемосорбция, начальный этап образования новой фазы и образование новой фазы. Спектральные наблюдения химически активного контакта V / Ge [70] доказывают, что в приграничной зоне существуют не просто случайные распределения атомов, а различные химические конфигурации или фазы. Когда толщина покрытия менее двух монослоев, атомы наносимого на поверхность германия ванадия слипаются в кластеры. При покрытии толщиной около 2А образуется первый продукт контакта VjGes. Доля этой фазы растет и доминирует при толщинах около 12, а затем начинает подвергаться термическим изменениям до 34 А. Вторая фаза ( твердый раствор Ge в поликристаллическом V) отчетливо проявляется при покрытиях больше 20 А. Причем вторая фаза образуется не при избытке первой - она растет одновременно с первой и конкурирует с ней. В диапазоне покрытий ванадием от 40 до 80 А дополнительное затухание, связанное с ростом второй фазы, отсутствует, а при толщинах свыше 80 А быстро уменьшается. Чисто металлическое покрытие начинает формироваться при очень больших толщинах покрытия. Таким образом, приграничная зона в высшей степени неоднородна, изменение ее свойств происходят как в вертикальном, так и в поперечных направлениях. Морфология этой зоны изменяется с температурой. [3]
 |
Изменение амплитуды спектра ЭПР захваченных электронов в зависимости от количества адсорбированного кислорода. [4] |
Доля поверхностных центров зависит от сорта силпкагеля и от поглощенной дозы излучения. [5]
Следовательно, поверхностные центры светочувствительности, которые захватили фотоэлектроны, освобожденные красным светом, должны обладать сравнительно малой глубиной. [6]
Только часть поверхностных центров реагирует с передачей О18 продукту ( около 10 % в реакции при 15 и примерно 15 % при 38), и эти центры регенерируются путем взаимодействия с обычным кислородом Q. Поэтому вышеуказанные три реакции должны протекать без существенных изменений структуры поверхности вблизи активных центров. Нет необходимости рассматривать эти центры как изолированные высокоактивные места; реакция вполне может идти и на группе высокоактивных точек, объединяющей два или более О2 - - центра поверхности. [7]
Кислотная сила поверхностных центров аттапульгита изменяется значительно, а их число на единице поверхности не особенно велико. [8]
Поглощение света определенными поверхностными центрами может не сопровождаться заметными изменениями электропроводности. [9]
Для объяснения природы кислотных и основных поверхностных центров была применена теория полупроводников. Предполагают, что сильные электростатические поля являются, кроме того, фактически каталитически активными областями на некоторых катализаторах. [10]
Зародышеобразование исключительно на поверхностных центрах. Скорость зародышеобразования, рассчитанная в предположении существования NQ потенциальных центров в начальный момент времени, не учитывает уменьшения числа потенциальных центров в результате их поглощения растущими зародышами. Поэтому получаемые законы справедливы лишь для начала реакции. [11]
Просуммируем представления радиационной концепции поверхностных центров, которая следует из изложенной трехслойной модели системы ДП. [13]
Значительные успехи достигнуты в идентифицировании поверхностных центров, способных взаимодействовать с адсорбированными молекулами, а также в анализе тех изменений, которые происходят в молекулах при адсорбции на цеолитах. Несмотря на то что эти исследования проведены в статических условиях, полученные данные помогают значительно лучше понять характер каталитических процессов, протекающих на поверхности цеолитных катализаторов. [14]
Уменьшение сечений захвата естественно для поверхностных центров в силу снижения симметрии микрокристалло-структуры в области центра, характера деформаций связей, наличия напряжений поверхностной решетки и др. Наблюдается также отличие в отжиге: поверхностные центры отжигаются заметно легче, чем объемные. [15]
Страницы: 1 2 3 4