Cтраница 1
Сами поверхностные центры рекомбинации и захвата представляют собой сложные по своей структуре образования, важнейшим элементом которых является атом ( ион) кислорода, закрепленный в нерегулярном положении вблизи границы германий - пленка окисных соединений германия. [1]
Десорбция воды увеличивает концентрацию поверхностных центров рекомбинации в германии. После прогрева образца при температуре 500 К максимальная скорость поверхностной рекомбинации ( smax) увеличивается в 10 - 15 раз по сравнению с начальной, при этом форма кривой s ( ys), где YS - поверхностный электростатический потенциал, не меняется. Это свидетельствует об увеличении в 10 - 15 раз концентрации поверхностных рекомбинационных центров той же природы. [2]
Ферми совпадает с энергетическим уровнем Es поверхностного центра рекомбинации. [3]
Предположим, что образующиеся заряды - это поверхностные центры рекомбинации. Тогда приближенно оказывается, что скорость поверхностной рекомбинации S Q, если под Q понимать поверхностную плотность зарядов. [4]
Из сказанного следует, что для расшифровки систем поверхностных центров рекомбинации и захвата необходимо привлечение дополнительных экспериментальных данных. Можно было рассчитывать получить такие данные при исследованиях влияния различных внешних воздействий на процессы поверхностной рекомбинации и захвата. [5]
Таким образом, можно сделать вывод, что процесс активации поверхностных центров рекомбинации идет в бензоле практически так же, как в вакууме. Это легко объяснить, так как десорбируе-мая вода при прогреве в бензоле заменяется неполярными молекулами бензола и, если только не происходит их хемссорбция на германии, последние не должны сказываться на параметрах рекомбинационных центров. [6]
Результаты соответствующих исследований позволили сделать ряд заключений о характере системы поверхностных центров рекомбинации и захвата, которые были еще дополнены данными исследований рекомбинации и захвата при различных кристаллографических ориентациях поверхности образцов, а также результатами исследования спектральной зависимости фотопроводимости, обусловленной возбуждением поверхностных уровней. Эти результаты прежде всего позволили доказать непригодность часто использовавшегося предположения о преобладании в рекомбинации центров одного типа, которые определяют величину скорости поверхностной рекомбинации в ее максимуме. Последний эксперимент заслуживает несколько более подробного рассмотрения. [7]
В обычных меза-структурах переход коллектор - база выделяется травлением, и с этим может быть связано возникновение дополнит, поверхностных центров рекомбинации, и в результате чего происходит снижение стабильности коэфф. Переходы, создаваемые - на такой подготовленной поверхности, защищаются окисной пленкой с самого начала технологич. [8]
В обычных меза-структурах переход коллектор - база выделяется травлением, и с этим может быть связано возникновение дополнит, поверхностных центров рекомбинации, и в результате чего происходит снижение стабильности коэфф. Переходы, создаваемые па такой подготовленной поверхности, защищаются окпсной пленкой с самого начала технология, цикла, что повышает экс-илуатац. [9]
Результаты, полученные при адсорбции на поверхности образца разных по химическому строению молекул, позволяют утверждать, что в явлении нейтрализации водой поверхностных центров рекомбинации основную роль играет физически адсорбированная вода. Таким образом, процесс нейтрализации связан с созданием полярной молекулой вблизи центра рекомбинации локального электрического поля, изменяющего параметры ре-комбинационного центра. Электрическое поле диполя может в принципе влиять на все параметры рекомбинационного центра: энергетическое положение и сечения захвата центром дырок и электронов. [10]
При прогреве в эфире процесс активации поверхностных центров протекает также аналогично случаю прогревов в вакууме Если при этом учесть совпадение кривых, измеренных до прогрева в эфире, с таковыми в бензоле и вакууме в течение начальной стадии откачки, то можно утверждать, что сам эфир не вносит новых поверхностных центров рекомбинации. Так как положение максимума кривой s / ( Y8) определяется величиной отношения сечений захвата дырки и электрона, то это свидетельствует о существенном изменении параметров существующих на поверхности рекомбинационных центров или, по крайней мере, их части. [11]
Наличие поверхностных центров рекомбинации делает возможным протекание рекомбинации через эти центры. Такую рекомбинацию называют поверхностной. В чистых кристаллах, в которых концентрация объемных центров рекомбинации мала, поверх-постная рекомбинация может приобрести важную роль, особенно в образцах малой толщины. [12]
Развита предварительная теория поверхности германия, позволяющая полуколичественно объяснить экспериментальные результаты. Теория в сочетании с экспериментом дает возможность приблизительно определить число и тип поверхностных центров рекомбинации, а также их распределение по энергиям. [13]
Главное значение измерений ФЭМ-эффекта заключается в том. Важность проведения таких измерений очевидна, поскольку в исследованиях фотопроводимости и фотокатализа особое значение имеют поверхностные центры рекомбинации, которые связаны с неосновными носителями. Величина замкнутого ФЭМ-тока пропорциональна квадратному корню из времени жизни избытка свободных носителей, тогда как фотопроводимость прямо пропорциональна времени жизни. Эта разница объясняется тем. ФЭМ-эффекта существует градиент, пропорциональный dnjdy. Чрезвычайно полезно объединить эти методы, особенно если время жизни носителей так мало, что даже обычные методы измерения быстрых процессов неприменимы. [14]
Ферми может возвратиться и к первоначальному своему значению. На первый взгляд можно было бы подумать, что состояния, определяющие постоянство потенциала ps, суть не что иное, как поверхностные центры рекомбинации Браттэна и Бардина. Фактически, однако, из значений времен релаксации видно, что это нечто другое. Действительно, немыслимо, чтобы состояния, для которых равновесие устанавливается за время порядка 1 сек. [15]