Гетерогенный центр
Cтраница 1
Гетерогенные центры могут принимать и дальнейшее участие в процессе кристаллизации. При этом, процессы зародышеобразования протекают во времени и носят спорадический характер. [2]
При охлаждении клеток важную роль играет кристаллообразование льда вокруг внутриклеточных гетерогенных центров кристаллизации, когда образующиеся кристаллы могут физически повреждать, например, клеточные мембраны. [3]
Транскристаллический рост прекращается после того, как фронт роста столбчатых кристаллов, движущихся от подложки, встретится с фронтом роста сферолитов объемной фазы. Толщина транскристаллического слоя определяется соотношением числа гетерогенных центров кристаллизации на поверхности подложки и расплава. [4]
По мере остывания кристалла концентрация междоузельных атомов кремния принимает равновесное для данной температуры значение при отсутствии гетерогенных центров зарождения. В присутствии таких центров, например атомов углерода, распределенных в кристалле неравномерно, вследствие локального увеличения поглощения инфракрасного излучения нагревателей происходит образование жидких капель кремния в затвердевлем кристалле. Если в окрестности капли есть примеси, то они диффундируют и растворяются в ней. Таким образом, избыточные междоузельные атомы конденсируются на уг-леродсодержащих гетерогенных центрах, образуя в-дефект. В-дефект перестраивается в Л - де-фекг. Поэтому в кристаллах формируется определенное распределение микродефектов и примесей. Однако такая модель не в состоянии объяснить различия ( - в 2 раза) скорости выращивания тигельных и бестигельных кристаллов, обеспечивающих получение слитков без Л - дефектов. [5]
Механизм образования и роста гранул в этом случае во многом аналогичен наблюдаемому при гранулировании расплавов, когда совмещены стадии формования и структурирования гранул. Здесь в перемешиваемом объеме гранул также происходят гомогенное зарождение центров гранулообразования, рост этих центров и параллельно - рост мелких частиц затравки - гетерогенных центров зарождения гранул. Детальное математическое описание этого процесса затруднительно из-за большого числа трудноучитываемых факторов. [6]
 |
Изотермы кристаллизации полистирола 92t93 при 1609 С. [7] |
Если температура расплава лишь немного превышает температуру плавления кристаллического полистирола ( Ущ, 226 С), то в результате кристаллизации образуются мелкосферолитные пленки. Это объясняется тем, что при небольшом перегреве в расплаве не происходит разрушения центров кристаллизации, существовавших в пленке до ее плавления, и наличие в момент кристаллизации большого количества гетерогенных центров обеспечивает образование полностью закристаллизованных мелкосферолитных пленок. Специфика действия зародышеобразователя при этом режиме кристаллизации не проявляется. [8]
Добавки, влияющие на структуру надмолекулярных образований и вводимые в небольших количествах, нельзя рассматривать с достаточным основанием как наполнители. Твердые мелкие частицы ( с диаметром менее 1 мк), диспергированные в расплаве полимера, играют роль зародышей кристаллизации при его охлаждении. Быстрая кристаллизация на большом числе гетерогенных центров кристаллизации приводит к образованию более мелких и однородных сферолитных структур. [9]
Добавки, влияющие на структуру надмолекулярных образований и вводимые в небольших количествах, нельзя рассматривать с достаточным основанием как наполнители. Твердые мелкие частицы ( с диаметром менее 1 мкм), диспергированные в расплаве полимера, играют роль зародышей кристаллизации при его охлаждении. Быстрая кристаллизация на большом числе гетерогенных центров кристаллизации приводит к образованию более мелких и однородных сферолитных структур. [10]
Эти исследователи предлагают схемы, включающие адсорбцию и реакцию по механизмам Лэнгмюра - Хиншельвуда или хемосорбционно-вандервааль-сово взаимодействие ( ХВВ) ( см. гл. Весьма неожиданно столкнуться с попыткой представить механизм полимеризации, не содержащий в схеме формальных стадий инициирования, роста и обрыва. Адсорбция здесь заменяет инициирование, а десорбция конца растущей полимерной молекулы не хуже, чем передача цепи в свободнорадикальных схемах, освобождает гетерогенный центр для начала синтеза нового полимера. Последовательный ряд поверхностных реакций или стадий ХВВ действует как реакция роста. Желательно провести дальнейшее исследование путей, которыми эти два металла влияют на кинетику и образование стереорегуляр-ных полимеров. Названные исследователи считают, что алкилалю-миний должен находиться в активном катализаторе как действующее начало и как агент, восстанавливающий титан. [11]
И наконец, с позиций изложенной модели можно объяснить также и физическую природу легкодействующих поверхностных источников, которая уже длительное время ( фактически с дискуссии вокруг опытов Дж. Джонстона [115] и Дэша [321]) обсуждается в литературе. В частности, экспериментальные данные, представленные на рис. 115, г, показывают, что их зарождение в действительности идет не только непосредственно с поверхности, но и в подповерхностных слоях. Кроме того, экспериментальные данные, представленные на рис. 30, 32, 37, а также расчетные оценки, проведенные для условий одноосного нагружения в главах 2 и 4, показывают, что зарождение источников дислокаций в приповерхностных слоях и их дальнейшее размножение обусловлено пересыщением по точечным дефектам непосредственно в процессе одноосного нагружения и их конденсацией на определенные гетерогенные центры. [12]
Эффективность зародышеобразующего действия определяется природой как полимера, так и наполнителя. Исследование влияния малых добавок солей органических кислот, использованных в качестве искусственных зародышеобразователей, на кристаллизацию показало [384- 386], что при их введении изменяется надмолекулярная структура полимера, поскольку при увеличении концентрации зародышеобразователей повышается скорость протекания процесса. Механизм действия добавок заключается в том, что на поверхности твердых частиц зародышеобразователя в результате адсорбции возникают упорядоченные области полимера, играющие роль центров кристаллизации. Такие упорядоченные области сохраняются на поверхности и при температурах перехода полимера в расплав, когда гомогенные центры кристаллизации полностью разрушаются в его объеме. При достаточно большой концентрации добавок число гетерогенных центров на их поверхности значительно превосходит число гомогенных центров, которые возникают в объеме в ходе кристаллизации. [13]
По мере остывания кристалла концентрация междоузельных атомов кремния принимает равновесное для данной температуры значение при отсутствии гетерогенных центров зарождения. В присутствии таких центров, например атомов углерода, распределенных в кристалле неравномерно, вследствие локального увеличения поглощения инфракрасного излучения нагревателей происходит образование жидких капель кремния в затвердевлем кристалле. Если в окрестности капли есть примеси, то они диффундируют и растворяются в ней. Таким образом, избыточные междоузельные атомы конденсируются на уг-леродсодержащих гетерогенных центрах, образуя в-дефект. В-дефект перестраивается в Л - де-фекг. Поэтому в кристаллах формируется определенное распределение микродефектов и примесей. Однако такая модель не в состоянии объяснить различия ( - в 2 раза) скорости выращивания тигельных и бестигельных кристаллов, обеспечивающих получение слитков без Л - дефектов. [14]
Поэтому любой зародыш в расплаве с размерами, близкими к критическим, является центром гетерогенного образования. Они вскоре превосходят в численном отношении зародыши из расплава, и зародышеобразование становится спорадическим. При низких температурах критический размер зародыша настолько мал, что большое число агрегатов, присутствующих в расплаве, способно положить начало непосредственной кристаллизации. В этом случае зародышеобразование мгновенное, но оно не обусловлено присутствием гетерогенных центров. [15]
Страницы: 1 2