Cтраница 3
Контур в цепи коллектора настроен на разностную частоту. [31]
Сопротивление в цепи коллектора у плоскостных полупроводниковых триодов может достигать нескольких мегом, а поэтому вольтамперные характеристики в рабочей области около точки С у приборов этого типа идут гораздо круче, чем в случае точечно-контактных полупроводниковых триодов. Это легко проверить путем сравнения кривых на фиг. [32]
![]() |
Гибридная П - схема, предложенная Джаколетто и Джонсоном. [33] |
Емкость в цепи коллектора обычно пренебрежимо мала. [34]
![]() |
Схема преобразователя на транзисторе. [35] |
Контур в цепи коллектора настроен на промежуточную частоту, поэтому напряжение с частотой гетеродина на нем почти не выделяется. По той же причине на катушке L, практически не выделяется напряжение промежуточной частоты. [36]
Ток в цепи коллектора создается, таким образом, за счет электронов, введенных в основание со стороны эмиттера, и будет тем больше, чем больше его эмиссия. [37]
Ток в цепи коллектора создается, таким образом, за счет электронов, введенных в базу со стороны эмиттера, и будет тем больше, чем больше он их впрыскивает, или - можно сказать и так - чем больше его эмиссия электронов. Мы пока говорили только о том, что происходит в транзисторе под действием напряжений, создаваемых батареями питания Бэ и Бк. [38]
![]() |
Схемы кварцевых генераторов на полупроводниковых триодах. [39] |
Нагрузка в цепи коллектора должна иметь емкостную реакцию и в качестве нагрузки можно использовать активное сопротивление. [40]
Если в цепи коллектора и базы включены резисторы, то, зная их сопротивления и измерив потенциалы электродов, можно определить ток коллектора и ток базы. [41]
Если в цепи коллектора включен резистор сопротивлением R, то падение напряжения на нем определяется в основном напряжением на базе. [42]
Нагрузкой в цепи коллектора служит трансформатор. [43]
Тогда в цепи коллектора VTn протекает постоянный ток х / э, обусловленный инжекцией дырок через эмиттерный переход УТИ, называемый инжектором. Условие С / эи [ / ки выполняется при ос1, т.е. кол-ллекторный ток, питающий базу и - - и-транзистора у Т ( VTlt VT2 или VT3), заметно меньше его тока эмиттера. [44]
![]() |
Принципиальная схема калибратора амплитуды и длительности. [45] |