Cтраница 2
![]() |
Схема расположения участков локализации плотности дефектов разного масштабного уровня в состоянии СН. [16] |
Интересно отметить, что склонность к образованию полос макроскопической протяженности возрастает при наличии макроскопической неоднородности в хаотизованном дислокационном ансамбле. [17]
Некоторые авторы наблюдали развитие микрополос в равноосной ячеистой или клубковой структуре [24], тогда как другие - в хаотическом дислокационном ансамбле. Это наводит на мысль, что субструктура и вне, и внутри полос может быть следствием релаксационных процессов, происходящих в 3.6. Структура деформирование-материале после прекращения дей - го прокаткой монокристалла никеля ствия внешнего поля. Ее хорошим подтверждением являются результаты нашей работы [26], выполненной на поликристаллическом никеле технической чистоты, деформированном ковкой при температуре около 500 С. [18]
Между тем, ДС - неустойчивость возможна и в однокомпонентном ансамбле дислокаций Существование зарядовой характеристики дислокаций ( вектора Бюргерса) обуславливает развитие в дислокационном ансамбле явлений, характерных для системы заряженных частиц, например, экранирование упругого поля дислокаций. [19]
Полученные в главах 2 и 3 результаты имеют общее научно-методологическое значение в том плане, что их необходимо учитывать как при исследовании различных характеристик дислокационного ансамбля и построении физических моделей деформационного упрочнения материалов, так и при проведении всех исследований, связанных с установлением корреляции между различными физическими свойствами кристаллов и их дислокационной структурой. [20]
Следует, однако, иметь в виду, что из рассмотрения выпадает случай утолщения остаточной прослойки под воздействием больших нагрузок, когда дислокаций на границе мало и ситуацию нельзя описать в терминах дислокационного ансамбля. Кроме того, в ряде материалов в процессе двойникования имеет место взаимодействие между растущими двойниками, картина осложняется параллельно протекающими процессами скольжения и разрушения. [21]
Применительно к деформационным процессам квазиравновесность возможна при эволюции дефектных структур в процессе отжига, в условиях испытания на длительную прочность, ползучесть, при релаксации полей внутренних напряжений. Возникающие неустойчивости дислокационных ансамблей определяются требованием минимума латентной энергии. Типичным примером ротационной неустойчивости дислокационных структур, проходящей в квазиравновесных условиях, является термическая полигонизация. [22]
При обработке металлических кристаллов вблизи их поверхности возникает область сильных искажений, характеризующаяся сложной тонкой структурой из нескольких слоев. Такие слои содержат разные дислокационные ансамбли, среди которых преобладают ансамбли с неоднородным пространственным распределением, причем параметры, определяющие степень искажений решетки, как правило, уменьшаются с глубиной залегания приповерхностных слоев. [23]
Характер кривой зависимости p H N) объясняется сменой механизмов разрушения. Дальнейшее нэхружение вызывает перестройку дислокационных ансамблей, приводящую к разрушению ячеистой структуры. Вновь образовавшаяся структура характеризуется наличием сильно разориентированных фрагментов. Это, очевидно, вызывает разрушение сложившейся упорядоченной доменной структуры. [24]
![]() |
Бифуркационные диаграммы для фазовых переходов II ( а и 1 ( 6 родов. [25] |
В работе [146] показано, что фазовый переход в системе дислокаций сопровождается скачком модуля сдвига. Кроме того, рассмотрена последующая эволюция дислокационного ансамбля, приводящая к расслоению однородного распределения дислокаций с образованием полосовой диссипа-тивной структуры. [26]
В-третьих, электронная просвечивающая микроскопия, являющаяся в настоящее время основным способом исследования структуры материала. Достигнутая разрешающая способность позволяет исследовать тонкое строение дислокационных ансамблей, в том числе дислокационных стенок и сеток, которые вызывают переориентацию прилегающих к ним областей. [27]
В работах [143, 194, 200, 207, 208] предприняты попытки с позиций синергетики объяснить возникновение дислокационных структур как неравновесных диссипативных структур. В качестве исходной рассматривается модель, в которой дислокационный ансамбль включает в себя дислокации двух типов ( / 1 2), различающиеся скоростью ( быстрые т - и медленные s - дислокации) и испытывающие локальные взаимодействия. [28]
В условиях высокой плотности дислокаций и формирования ячеистой структуры приобретают значение новые механизмы развития деформаций: поворотные моды [103], термически активируемые процессы [57 ], переползание дислокаций. Определяющим становится взаимодействие не отдельных дислокаций, а дислокационных ансамблей. Недислокационные процессы деформации и разрушения доминируют также при низких гомологических температурах. Естественно, пластичность материалов в таких условиях мала. К примеру, в карбиде и нитриде титана заметную подвижность дислокации приобретают при температурах около 1000 С и важным параметром, определяющим прочностные свойства материалов, оказывается прочность границ зерен и их насыщенность дефектами строения. Большое влияние на подвижность дислокаций оказывает наличие примесей, стехиометрия соединений, число электронов в связных и антисвязных состояниях. [29]
![]() |
Схема деформации индивидуального зерна поликристалла. [30] |