Цепочка - вакансия
Cтраница 2
Линейные дефекты ( см. рис. 1.4) малы в двух направлениях, а в третьем направлении соизмеримы с длиной кристалла. К ним относятся дислокации, цепочки вакансий и примесных и межузельных атомов. Дислокации бывают краевыми, винтовыми и смешанными. [17]
В результате пересечения двух дислокаций с противоположными векторами Бюргерса на каждой из них возникают искажения, называемые ступеньками. Плоскость скольжения, связанная со ступенькой, отличается от плоскости скольжения основной дислокации. Это означает, что при скольжении дислокаций обычно происходит переползание ступенек. При температурах, недостаточно высоких для протекания интенсивной диффузии, ступенька при движении оставляет за собой цепочку вакансий или межузельных атомов. [18]
Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели ( Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа - барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой; пересечение малоугловых границ; аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения; возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [19]
Страницы: 1 2