Цепь - исток
Cтраница 2
 |
Практически используемые схемы истоковых ( а, эмитторных ( б и катодных ( в повторителей. [16] |
Конечно, в схемах, изображенных на рис. 6.23, безразлично, в каком месте цепи истока ( или коллектора транзистора, или анода лампы) включить источник питания. [17]
Напряжение гетеродина, выполненного - на отдельном транзисторе, подводится к резистору R, включенному в цепь истока, который одновременно является резистором автоматического смещения. Напряжение промежуточной частоты выделяется на двухконтурном полосовом фильтре, включенном в цепи стока транзистора. [18]
Стабилизированное напряжение 12 В питания транзистора IT 15 снимается со стабилитрона 7Д1 в блоке управления и через контакт 2а разъемного контактного соединения Ш1 подается в цепь истока. [19]
 |
Схема преобразователя частоты. [20] |
Полевой транзистор работает как смеситель, так как в нем входной модулированный ВЧ-сигнал, приложенный к затвору, смешивается с сигналом гетеродина, возникающим в колебательном контуре, связанном с цепью истока. [21]
Первый входной каскад для обеспечения большого входного сопротивления выполнен на полевом транзисторе VT5 ( VT6) по схеме истокового повторителя. В цепь истока VT5 ( VT6) включен резистор регулятора громкости R27 ( R28), со средней точки которого сигнал звуковой частоты подается на последующие каскады усилителя. [22]
Включение резистора Ru в цепь истока транзистора приводит к возникновению в каскаде последовательной ООС, уменьшающей усиление в широкой полосе частот. Включение конденсатора малой емкости Си параллельно Яи приводит к ослаблению глубины ООС лишь на верхних частотах. Это увеличивает усиление каскада на верхних частотах, компенсируя его уменьшение от влияния емкости Со, нагружающей каскад. [23]
При включении резистора в цепь истока полевого транзистора возникает напряжение ОС. Это напряжение слабо зависит от питающего напряжения. Напряжение ОС определяется потенциалом отсечки полевого транзистора. Схема с одним транзистором ( рис. 16.6, а) обеспечивает внутреннее сопротивление приблизительно 30 Ом, а с двумя транзисторами ( рис. 16.6, б) имеет внутреннее сопротивление менее 5 Ом. Температурная стабилизация может быть обеспечена, если режим работы транзистора вывести в термостабильную точку, а также применить терморезисторы в цепи истока. [24]
Можно построить регулируемый источник тока, установив в цепь истока резистор автоматического смещения, как показано на рис. 6.14. Значение R выбирается по выходным характеристикам или по характеристике тока стока в зависимости от L / зи - Такой резистор дает возможность как устанавливать ток, так и предсказывать его значение. [25]
Входное сопротивление его равно 2 - Ю9 Ом. Для стабилизации режима половых транзисторов по току в цепь истоков включен генератор тока на транзисторе VT. Связь выхода ОУ с затвором правого ( по схеме) полевого транзистора обеспечивает 100 % - ную ООС. Для устранения самовозбуждения в схему введены две корректирующие цепочки, состоящие из элементов R7, CI, С2, СЗ. [26]
Разработчики импульсных источников питания всегда сталкиваются с проблемой защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Обычно проблема эта решается следующим образом: в цепь истока включается небольшое сопротивление, напряжение с которого подается на компаратор, отключающий схему регулирования тока и запирающий силовые транзисторы. К сожалению, такой путь не слишком удачен, поскольку на резистивном датчике тока теряется мощность, да и силовые цепи в этом случае становятся более протяженными. [27]
 |
Схема триггера на биполярных транзисторах с запуском по коллекторным цепям. [28] |
Запуск по истоковым или эмиттерным входам встречается сравнительно редко. Использование указанных входов неизбежно связано с включением резистора в цепь истока или эмиттера, которое приводит к увеличению выходного сопротивления триггера, в результате чего уменьшается нагрузочная способность триггера и его быстродействие. Существенным недостатком запуска по эмиттерным и истоковым входам является также сравнительно большое потребление мощности от источника спусковых импульсов. [29]
 |
Схема для подбора пар полевых транзисторов. [30] |
Страницы: 1 2 3