Цепь - транзистор
Cтраница 2
Запертый диод отключает базот ую цепь транзистора То от большого заш: ра ощг. Конденсатор С ] разряжается через гг, 2 на И1 точ. [16]
Как связаны постоянные токи в цепях транзистора. [17]
 |
К пояснению принципа работы транзистора. [18] |
Рассмотрим теперь прохождение тока в цепях транзистора при замыкании всех трех ключей. [19]
Рассмотрим теперь прохождение токов в цепях транзистора при замыкании всех трех ключей. Как видно из рис 7.7, подключение транзистора к внешним источникам питания приводит к изменению высоты потенциальных барьеров р-п переходов. Потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, а коллекторного - увеличивается. [20]
Ток в базовой и коллекторной цепях транзистора резко уменьшается. В начальный момент ток в цепи базы транзистора V6 оказывается слишком малым для того, чтобы удержать включенным реле К1, и оно отпускает якорь. [21]
Пусть частота переменных токов в цепях транзистора такова, что становится заметным влияние на их прохождение емкостей переходов и инерционности процессов накопления и рассасывания неравновесного заряда базы. В этом случае дифференциальные параметры транзисторов имеют не только резистивную, но и реактивную составляющую, следовательно, они становятся комплексными. [22]
Одна группа контактов кнопки S2 разрывает эмнт-терную цепь транзистора VT4, в результате чего реле Л / обесточивается, и контакты К. Другая группа контактов закорачивает на корпус затвор VT2, конденсаторы С6 и С7 разряжаются, и устройство готово к следующему включению. [23]
 |
Транзисторы типов р-п - р ( а и п-р - п ( 6. [24] |
При отсутствии внешних источников напряжения в цепях транзистора через переходы протекает небольшой ток основных носителей зарядов ( дырок - из р-области и электронов - из n - области), являющийся током диффузии, и встречный - дрейфовый ток неосновных носителей зарядов. В равновесном состоянии эти токи равны и суммарный ток отсутствует. [25]
При равенстве R и С в цепях транзисторов продолжительности импульса tu и паузы tn равны между собой. [26]
 |
Схема блокинг-генератора.| Магнитодиодкая ячейка. [27] |
При равенстве R и С в цепях транзисторов продолжительности импульса ts и паузы tn равны между собой. Изменяя R и С, можно изменять отношение ИДП. [28]
Изменения силы тока в эмиттерной и коллекторной цепях транзистора практически не меняют напряжения смещения. [29]
Даже при идеально постоянных напряжениях электродов токи в цепях транзистора не могут быть строго постоянными; они подвержены малым случайным колебаниям, называемым флуктуациями. Основной причиной флуктуации является хаотическое тепловое движение носителей заряда в кристаллической решетке полупроводника. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5