Большая Энциклопедия Нефти и Газа

"Я люблю путешествовать, посещать новые города, страны, знакомиться с новыми людьми."Чингисхан (Р. Асприн) Законы Мерфи (еще...)

Цепь - эмиттер

Cтраница 3

Схема включения.  [31]

Если в цепь эмиттера включить источник переменного напряжения ( рис. 17 - 11), то ток эмиттера, а следовательно, и ток коллектора будут пульсировать.  [32]

В р-п - р транзисторе положительные дырки отталкиваются в эмиттере положительным зарядом, созданным батареей X, Через тонкую базу дырки проходят в коллектор, где они могут рекомбинировать с электронами, приходящими о отрицательного полюса батареи У Электроны в эмиттере притягиваются положительным полюсом батареи X, а в эмиттере образуются новые дырки.| Обозначение р-п - р транзистора. Стрелка у эмиттера направлена к базе.  [33]

Когда в цепь эмиттера подается сигнал, через выходную цепь коллектора проходит ток.  [34]

НО. Характеристики триода.  [35]

Если в цепь эмиттера последовательно с батареей смещения Еэ включить источник усиливаемого напряжения ивх ( рис. 21 - 81), то в соответствии с изменением этого напряжения Дивх будет изменяться входной ток усилителя ( ток эмиттера), а вместе с ним и ток коллектора.  [36]

Зависимости параметров.| Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного транзистору, от температуры.  [37]

Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией.  [38]

Зависимости параметров физической эквивалентной схемы транзистора ог температуры.| Зависимости Л - параметров транзнсторй от температуры.  [39]

Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей заряда в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией.  [40]

При замыкании цепи эмиттера по ней через эмиттер и базу начинает протекать ток, который поддерживается передвижением электронов из базы в эмиттер и перемещением дырок из эмиттера в базу. В базе значительно увеличивается количество дырок. Часть-из них заполняется электронами базы ( рекомбинирует с ними), а часть проникает в область перехода между базой и коллектором, в результате чего сопротивление этого перехода в непроводящем направлении ( т.е. от п к р) уменьшается и по коллекторной цепи также начинает протекать ток. При этом изменение тока - увеличение или уменьшение - в эмиттерной цепи вызывает аналогичные, пропорциональные изменения тока в цепи коллектора. Таким образом, ток в цепи эмиттера отпирает переход между базой и коллектором и управляет током в коллекторной цепи.  [41]

При замыкании цепи эмиттера через него и базу начинает протекать ток, который поддерживается перемещением электронов из базы в эмиттер и перемещением дырок из эмиттера в базу. В базе значительно увеличивается количество дырок. Таким образом, ток в цепи эмиттера отпирает переход между базой и коллектором и управляет током в коллекторной цепи.  [42]

При обрыве цепи эмиттера напряжение коллектора повы - шено, напряжение базы почти нормальное, напряжение на эмиттере приблизительно равно напряжению базы.  [43]

Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей заряда в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией.  [44]

При обрыве цепи эмиттера напряжение коллектора повышено, напряжение базы почти нормальное, напряжение на эмиттере приблизительно равно напряжению базы.  [45]

Страницы:      1    2    3    4    5