Cтраница 1
![]() |
Работа транзистора в режиме А. [1] |
Входная цепь транзистора в мощном каскаде может проявлять заметную нелинейность и обычно требует графического анализа. На рис. 10 - 47 для примера приведены характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. [2]
Входная цепь транзистора, так же как и входная цепь электронной лампы, обладает односторонней проводимостью, но работает при напряжениях проводящей полярности. Обратное влияние выходной цепи триода на входную цепь в ряде случаев может быть заметным. В выходной коллекторной цепи триода рабочим регулируемым направлением тока является обратное направление тока перехода база - коллектор. При изменении полярности напряжения источника питания через коллектор к базе потечет прямой ток, величина которого определяется лишь напряжением источника питания и сопротивлениями в его цепи. [3]
Из входной цепи транзистора в колебательный контур вносится отрицательная емкость - m22CBX, где Свх - входная емкость транзистора. В схеме рис. 2.7 применена емкостная связь контура со входом транзистора, и поэтому L LK, m2 я С / ( С3 Свх), где С - полная емкость контура. [4]
Возбуждение входных цепей транзисторов предоконеч-ного каскада производится синфазным сигналом. ТЗ возрастает, а ток в цепях коллекторов Т2 и Т4 уменьшается. [5]
![]() |
Схема входной цепи. [6] |
В действительности входная цепь транзистора представляет собой сложную схему, полный импеданс которой со стороны зажимов транзистора зависит от метода настройки и точности, с которой эта настройка выполняется. [7]
![]() |
Эквивалентные схемы транзистора. [8] |
Эквивалентная схема входной цепи транзистора с общим коллектором, изображенная на рис. 4.13 а, аналогична эквивалентной схеме входной цепи при общем эмиттере. Эквивалентная схема выходной цепи транзистора с общим коллектором при активном сопротивлении источника сигнала приведена на рис. 4.136; здесь индуктивность отражает снижение hz a на высоких частотах аналогично эквивалентной схеме входной цепи транзистора при включении с общей базой. [9]
Эквивалентная схема входной цепи транзистора с ОК, изображенная на рис. 3.1 2а, аналогична эквивалентной схеме входной цепи при ОЭ. Эквивалентная схема выходной цепи транзистора с ОК при активном сопротивлении источника сигнала приведена на рис. 3.126: здесь индуктивность отражает снижение h2i3 на высоких частотах аналогично эквивалентной схеме входной цепи транзистора при включении с ОБ. [10]
![]() |
Определение параметров входной цепи по осциллограммам для транзисторного ключа. [11] |
Если во входной цепи транзистора имеется напряжение смещения, запирающее переход эмиттер - база, либо в цепь эмиттера включен диод, то UK доп t / K-6. Если во входной цепи отсутствуют элементы, запирающие транзистор, то UK Д ( Ш t / к-э. [12]
![]() |
Температурная компенсация [ IMAGE ] Подача смещения во вход. [13] |
Смещение во входную цепь транзистора можно подавать как параллельно источнику сигнала, так и последовательно с ним. [14]
Если во входную цепь транзистора подавать синусоидальный ток, источником которого служит генератор с высоким сопротивлением, то, поскольку коллекторный ток пропорционален базовому, он будет тоже синусоидальным, несмотря на то, что входное напряжение будет искажено. Отсюда можно сделать вывод, что с увеличением сопротивления генератора нелинейные искажения уменьшаются за счет улучшения формы входного тока. Однако в мощном усилителе с увеличением сопротивления генератора увеличиваются потери мощности во входной цепи и общее усиление снижается. [15]