Полупроводниковый индикатор

Cтраница 1

Схематическое устройство семисегмеитных цифровых индикаторов различных.| Газоразрядный индикатор. [1]

Полупроводниковые индикаторы ( ПИ), или инжекционные светодиоды, в которых используется свечение а - - перехода при ин-жекции носителей, выпускаются ( рис. 7 - 42, г) многознаковыми. Высокая яркость свечения, нелинейные вольт-амперные характеристики и нелинейная зависимость силы света от плотности тока позволяют использовать ПИ в динамических ЦОУ с высокой эффективностью. [2]

Полупроводниковый индикатор, в котором используется GaAsP, имеет ряд преимуществ, однако по мере увеличения числа светоизлучающих элементов и размеров поля изображения возрастают потери энергии. Имеется сообщение [89] о том, что в индикаторе, описанном выше, максимальный размер одного кристалла, вероятно, 25 4x25 4 мм. К тому же полагают, что полупроводниковыми могут быть сделаны индикаторы малых размеров, а индикаторы больших размеров целесообразно делать в гибридном исполнении. [3]

Полупроводниковые индикаторы перекрывают широкий диапазон спектра, отличаются ярким и насыщенным свечением, удобством управления; они экономичны, технологичны и долговечны. При выпуске ППИ особое внимание уделяется интегральным индикаторам, где на одном кристалле расположены не только светодиоды, но и схемы памяти и формирования управляющих импульсов, а иногда и микропроцессоры. [4]

Схематическое устройство семисегментных цифровых индикаторов различных. [5]

Полупроводниковые индикаторы ( ЛИ), илиинжекционные светодиоды, в которых используется свечение р - / г-перехода при ин-жекции носителей, выпускаются ( рис. 7 - 42, г) многознаковыми. Высокая яркость свечения, нелинейные вольт-амперные характеристики и нелинейная зависимость силы света от плотности тока позволяют использовать ПИ в динамических ЦОУ с высокой эффективностью. [6]

Полупроводниковые индикаторы обладают высокой яркостью свечения, нелинейной вольт-амперной характеристикой и нелинейной зависимостью силы света от плотности тока. [7]

Основные характеристики цифровых индикаторов жидкокристаллического типа. [8]

Полупроводниковые индикаторы ( ПИ), или инжекционные свето-диоды, в которых используется свечение р-п перехода при инжекции носителей, выпускаются ( рис. 7.52 е) многознаковыми. [9]

Конструкция точечного светодиода и его габаритные размеры ( мм. [10]

Различают полупроводниковые индикаторы дискретные ( точечные), предназначенные для отображения цветной световой точки ( рис. 3.9), и знаковые - для отображения цифр и букв. В знаковых сегментных индикаторах ( рис. 3.10) каждый сегмент представляет собой отдельный диод. [11]

Принцип действия полупроводниковых индикаторов основан на излучении квантов света при рекомбинации носителей заряда в области p - n - перехода, к которому приложено прямое напряжение. К полупроводниковым индикаторам относится светодиод - полупроводниковый диод, в котором предусмотрена возможность вывода светового излучения из области p - n - перехода сквозь прозрачное окно в корпусе. Цвет излучения определяется материалом, из которого выполнен светодиод. Выпускают светодиоды красного, желтого и зеленого свечения. [12]

Знаковый сегментный полупроводниковый индикатор АЛ305. [13]

К достоинствам полупроводниковых индикаторов относится возможность их прямого подключения к полупроводниковым дешифраторам благодаря низкому рабочему напряжению, а также большой срок службы, высокая яркость свечения и хороший обзор. [14]

Статическое ЦОУ на кодо-люминесцен гных индикаторах. [15]

Страницы: 1 2 3