Cтраница 4
Сравнительно легко качественно показать, что векторная часть нелинейной восприимчивости кристалла увеличивается в том случае, если в молекулах могут происходить переходы, сопровождающиеся ПЗ. Действительно, наличие полярной оси в кристалле обычно связано с тем, что полярные оси молекул составляют между собой и с осью острые углы. Перераспределение заряда при возбуждении имеет составляющую вдоль полярной оси молекулы. Это приводит к возрастанию составляющей гиперполяризуемости вдоль оси молекулы, т.е. к возрастанию векторной части гиперполяризуемости. Поскольку полярные оси молекул направлены под острым углом к полярной оси кристалла, то векторная часть нелинейной восприимчивости кристалла также возрастает. [46]
Согласно приведенной оценке вклад фононов составляет 35 % указанной нелинейной восприимчивости, причем он уменьшает нелинейную в осприимчивость, связанную с движением электронов. [47]
Здесь и - постоянная связи, зависящая от нелинейной восприимчивости среды, / 3i и 0i - амплитуда и фаза классического поля накачки, a as и аг - операторы уничтожения фотонов сигнального и считывающего полей. [49]
Здесь х - постоянная взаимодействия, зависящая от нелинейной восприимчивости третьего порядка, вследствие эффекта Керра. [50]
Чтобы определить, насколько общим является повышение векторной части нелинейной восприимчивости при наличии в молекулах ПЗ, оценим угол между осью молекулы и осью кристалла, при котором вклад ПЗ в векторную часть нелинейной восприимчивости не будет заметен. [51]
В качестве примера приведен на рис. 2 вид зависимости нелинейной восприимчивости в конкретной среде от частоты возбуждающею излучения. [52]