Cтраница 2
Хг - диэлектрическая восприимчивость ( относительная) - величина, характеризующая способность диэлектрика поляризоваться под действием электрического поля. [16]
Во-первых, низкочастотная диэлектрическая восприимчивость прямо отражает электронный вклад в обычную статическую диэлектрическую проницаемость. В этом можно убедиться, если к ко валентному кристаллу в форме пластины приложить статическое электрическое поле еГо, перпендикулярное кристаллической поверхности, как показано на рис. 4.6. В результате поле § внутри образца будет отличаться от поля о из-за наличия поверхностных зарядов. [17]
Поляризуемость и диэлектрическая восприимчивость воздуха к пропорциональны его плотности и флуктуируют одновременно с последней. Как показал Л. И. Мандельштам, на этих непрерывно возникающих и распадающихся оптических неодно-родностях с размерами, много меньшими К, происходит рассеяние солнечного света. [18]
Следовательно, относительная диэлектрическая восприимчивость - величина, безразмерная и выражается в безразмерных единицах. [19]
Следовательно, относительная диэлектрическая восприимчивость - величина безразмерная и выражается в безразмерных единицах. [20]
Поляризуемость и диэлектрическая восприимчивость воздуха и пропорциональны его плотности и флуктуируют одновременно с последней. Как показал Л. И. Мандельштам, на этих непрерывно возникающих и распадающихся оптических иеодно-родностях с размерами, много меньшими Я, происходит рассеяние солнечного света. [21]
Полный расчет диэлектрической восприимчивости требует знания как сил осцилляторов, так и энергий рассматриваемых электронных состояний. [22]
Значение коэффициента диэлектрической восприимчивости вообще принимается постоянным, хотя в некоторых случаях приходится считаться с изменением его. Так, например, значение аг для полярных диэлектриков зависит от температуры. [23]
Поскольку тензоры диэлектрической восприимчивости хо и проницаемости б, описывающие оптические свойства в диэлектрических средах, сохраняются постоянными от домена к домену в ПДС, то и распространение оптической волны не будет зависеть от доменной структуры. Однако приложение постоянного электрического поля к ПДС вследствие электрооптического эффекта создает периодические изменения значения и знака показателя преломления и коэффициента диэлектрической проницаемости. [24]
Вследствие анизотропии диамагнитной и диэлектрической восприимчивости свободная энергия ансамбля молекул НЖК во внешнем магнитном или электрическом поле имеет минимум при вполне определенной ориентации молекулярных осей ( директора) относительно поля. При положительных значениях Д % и Ае директор стремится установиться вдоль поля, при отрицательных - перпендикулярно ему. Если в исходном состоянии направления поля и директора НЖК не соответствуют условию минимума свободной энергии, при достаточно сильном поле, способном преодолеть силы упругости НЖК, произойдет переориентация директора и установится его новое стационарное распределение. [25]
Следует записать диэлектрическую восприимчивость также в несколько другой форме, которая часто встречается в физической литературе и очень удобна для дальнейшего описания. [26]
Коэффициент поляризации или диэлектрическая восприимчивость я определяется свойствами диэлектрика и зависит в общем случае от температуры. [27]
В системе СИ диэлектрическая восприимчивость х имеет размерность фарад на метр. [28]
Хэ / - диэлектрические восприимчивости фаз, индексы 1 и 2 относятся к различным фазам. [30]