Cтраница 3
В § 14 на основании формулы (11.7), аналогичной формуле (32.5), было сделано заключение о положительности электрической восприимчивости вещества. В магнитном случае, однако, такой вывод не может быть сделан, и магнитная восприимчивость может иметь оба знака. Причина этого существенного различия заключается в том, что гамильтониан системы движущихся зарядов в магнитном поле содержит не только члены, линейные по полю ( как в электрическом случае), но и квадратичные члены. [31]
Рассмотрим бесконечную среду с электрической восприимчивостью х - ак было показано в § 6.1, в общем случае электрическая восприимчивость является тензором второго ранга. Временно будем считать среду изотропной, так что х может быть представлена скаляром. [32]
Гигрометры СВЧ градуируются эмпирически, причем для этой цели применялись неполярные газы ( N2, H2), у которых электрическую восприимчивость можно считать пропорциональной плотности. Из источников погрешностей СВЧ гигрометров важнейшим является температура. Для устранения температурной погрешности резонаторы иногда термостатируют; можно также изготовлять оба резонатора в виде двух полостей в одном блоке металла. Лучшим материалом для изготовления резонаторов является инвар или аналогичные сплавы. Для устранения ошибок, связанных с колебаниями атмосферного давления, в некоторых рефрактометрах резонаторы заключены в металлические полые камеры, внутреннее пространство которых эвакуировано. [33]
Рассматриваемые слабопроводящие водные системы представляют собой диамагнитную среду с чрезвычайно малой магнитной восприимчивостью, но с аномально высокой среди жидкостей электрической восприимчивостью. Поэтому при движении в магнитном поле слабопроводящих водных систем в них возникает электрическое поле, которое приводит к активизации жидкости. Иными словами, роль внешнего магнитного поля сводится к наведению в слабопроводящих водных системах электрического поля, которое стремится ориентировать примесномолекулярные дипольные образования и отдельные молекулы воды вдоль поля. [34]
Напряженность поля в зазоре. [35] |
Из приведенного в начале параграфа определения электрической восприимчивости мы видим, что эта величина является мерой податливости диэлектрика явлению поляризации: чем больше электрическая восприимчивость, тем сильнее поляризуется диэлектрик при заданной напряженности внутреннего поля в нем. [36]
В § 14 на основании формулы ( 11 7), аналогичной формуле ( 32 5), было сделано заключение о положительности электрической восприимчивости вещества. В магнитном случае, однако, такой вывод не может быть сделан, и магнитная восприимчивость может иметь оба знака. Причина этого существенного различия заключается в том, что гамильтониан системы движущихся зарядов в магнитном поле содержит не только члены, линейные по полю ( как в электрическом случае), но и квадратичные члены. [37]
Разрез элементарной ячейки ВаТЮ3 в неполяризованном ( а и поляризованном ( б состояниях ( ионы Ва лежат не в плоскости рисунка.| Температурная зависимость. [38] |
Полагая, что параметр № ф с понижением температуры линейно растет и при температуре в становится равным единице ( рис. 21.4), для электрической восприимчивости %, выраженной формулой (21.5), а также для диэлектрической проницаемости е х ( при е 1) получим закон Кюри - Вейсса (21.1) в параэлектрической фазе. [39]
Несмотря на такую аналогию между магнитной проницаемостью и диэлектрической постоянной, между ними есть принципиальное различие. Электрическая восприимчивость всегда положительна, поэтому е 1, в то время как магнитная восприимчивость у, может быть как положительной, так и отрицательной, а следовательно, магнитная проницаемость может быть и больше и меньше единицы. В первом случае вещество называется парамагнитным, а во втором - диамагнитным. [40]
В подобных случаях уравнение ( 8 рассматривают как определение вектора индукции в анизотропной среде. Электрическая восприимчивость анизотропной среды может быть неодинаковой по различным направлениям; тогда и диэлектрическая постоянная, вычисляемая по уравнению ( 6), тоже будет иметь неодинаковые значения для различных направлений. [41]
Отношение Р к Е является внутренним свойством диэлектрика. Оно называется электрической восприимчивостью вещества, обычно обозначается буквой хе и является безразмерной величиной. [42]
Величина хе называется электрической восприимчивостью диэлектрика. Рекомендуем читателю путем анализа размерностей убедиться, что электрическая восприимчивость является безразмерной величиной. [43]
Величина ке называется электрической восприимчивостью диэлектрика. Рекомендуем читателю путем анализа размерностей убедиться, что электрическая восприимчивость является безразмерной величиной. [44]
Здесь прописными буквами обозначены комплексные амплитуды соответствующих величин, гармонически зависящих от времени. Трехмерная матрица коэффициентов х / / называется тензором электрической восприимчивости. Величины х /, зависят, конечно, от выбора направлений осей х, у и z относительно кристаллической структуры. [45]