Индуктивность - рассеяние - вторичная обмотка
Cтраница 2
Коэффициент пропорциональности L2S между потокосцеплением ф2, обусловленным потоком рассеяния Ф25 и током / 2, называют индуктивностью рассеяния вторичной обмотки; L2S зависит от числа витков и конструкции вторичной обмотки. [16]
Коэффициент пропорциональности L2s между потокосцеплением ij2s, обусловленным потоком рассеяния Ф2з, и током / 2 называют индуктивностью рассеяния вторичной обмотки; LZs зависит от числа витков и конструкции вторичной обмотки. [17]
Коэффициент пропорциональности LZs между потокосцепле-нием i) 2s, обусловленным потоком рассеяния Ф24, и током / а называют индуктивностью рассеяния вторичной обмотки; L2s зависит от числа витков и конструкции вторичной обмотки. [18]
Индуктивность холостого хода первичной обмотки согласующего трансформатора значительно ( в 8 - 10 раз) превышает индуктивность основной катушки колебательного контура, а индуктивность рассеяния вторичной обмотки значительно ( в 8 - 10 раз) меньше эквивалентного импеданса преобразователя, благодаря чему напряжение на его обмотке сохраняет синусоидальную форму. [19]
Длительность процесса коммутации тока между выключаемым и вступающим в работу вентилем определяется значением индук-тивностей рассеяния обмоток трансформатора, не допускающим мгновенного перехода тока нагрузки преобразователя с одного вентиля на другой. Выпрямленный ток при этом становится равным сумме токов двух фаз или вентилей, а ЭДС вентильных обмоток прикладывается через вентили к индуктивностям рассеяния вторичных обмоток. [20]
 |
Эквивалентная схема замещения одноступенчатого ТТ. [21] |
На рис. 4.1 показана эквивалентная схема замещения электромагнитного одноступенчатого ТТ, все параметры которой приведены ко вторичной обмотке. Приняты следующие обозначения элементов схемы: L и Rn - индуктивность намагничивания и эквивалентное сопротивление потерь в сердечнике ТТ: г2 и Ld2 - активное Сопротивление и индуктивность рассеяния вторичной обмотки; Ян и Ln - активное сопротивление и индуктивность нагрузки. [22]
 |
Схема замещения ТН. [23] |
Подход, использованный при анализе частотных свойств ТТ, вполне приемлем и для исследования электромагнитных ТН. На схеме приняты следующие обозначения: Т и Ld - активное сопротивление и индуктивность рассеяния первичной обмотки, приведенные ко вторичной обмотке ТН; L и Rn - индуктивность намагничивания и эквивалентное сопротивление потерь; г2 и Lz2 - активное сопротивление и индуктивность рассеяния вторичной обмотки ТН; С и RH - эквивалентная емкость ТН и активное сопротивление нагрузки. [24]
В этом случае существенными оказываются индуктивности рассеяния и первичной, и вторичной обмоток. В ряде случае индуктивность рассеяния вторичной обмотки позволяет сохранить устойчивость фер-рорезонансных колебаний на основной гармонике, и тогда нет необходимости в установке дополнительного дросселя. [25]
Блок напряжения БПН-1002 выполнен трехфазным и имеет по две первичные обмотки ПТН, которые могут соединяться последовательно или параллельно, а также в звезду и треугольник. Это позволяет включать блок в трехфазную сеть напряжением от 100 до 400 В. Две пары вторичных обмоток соединяются в две звезды, питающие два трехфазных двухполупе-риодных выпрямительных моста с номинальным выходным напряжением ПО В каждый. Последовательное или параллельное включение выпрямительных мостов обеспечивает получение выходных номинальных напряжений ПО и 220 В. Ответвления от вторичных обмоток позволяют осуществлять подстройку под действительный уровень напряжения на подстанции. Магнитопровод ПТН выполнен трехстержневым. Набор числа витков первичной обмотки из отдельных секций позволяет избавиться от появления увеличенных напряжений на входе БПТ, характерных для обмоток с наибольшим числом витков и ответвлениями от нее. Поскольку индуктивность рассеяния вторичной обмотки НТТ недостаточна для предотвращения ферро-резонанса на второй гармонике, то во вторичную цепь введен линейный дроссель. [26]
Страницы: 1 2