Cтраница 2
Для определения индуктивности рассеяния трансформатора вначале найдем частотные искажения на высшей частоте, вносимые транзистором. [16]
Для измерения индуктивности рассеяния трансформатора одну из его обмоток замыкают накоротко, а другую подключают к измерительным зажимам прибора. [17]
Точный расчет индуктивности рассеяния трансформатора с обмотками на разных стержнях представляет значительные трудности, поэтому приведем здесь два приближенных способа. [18]
Если расчет индуктивности рассеяния трансформатора производится по широко известной приближенной формуле, то оценка собственной емкости трансформатора и частотной зависимости сопротивлений обмоток велась сугубо ориентировочно путем сравнения с подобными конструкциями. Последнее требует определенного практического навыка и накопления значительных экспериментальных данных. [19]
Для уменьшения индуктивности рассеяния трансформаторов применяются секционирование обмоток, транспонирование секций, намотка в два провода, тороидальное исполнение трансформатора и другие известные приемы. [20]
![]() |
Подключение дополнительного дросселя в первичную цепь преобразователя. [21] |
К сожалению, индуктивность рассеяния трансформатора и индуктивность токоподводящих к выходным диодам печатных дорожек компенсировать подобным образом не удается, и некоторый выброс напряжения на запираемом диоде все же остается. Является ли этот выброс критическим и следует ли предпринимать дополнительные меры для его снижения, этот вопрос должен решаться в зависимости от конкретной разработки. [22]
Амплитуда выброса зависит от индуктивности рассеяния трансформатора и скорости спада тока коллектора. [23]
В связи с наличием индуктивности рассеяния трансформатора ток в цепи диода, заканчивающего работу, не может мгновенно спадать до нуля, а в цепи диода, вступающего в работу, ток не может мгновенно возрасти от нуля до полного значения. Практически изменение тока в фазах вторичной обмотки происходит постепенно ( рис. 115, г) в течение определенного промежутка времени, определяемого углом v, который называют углом коммутации или углом перекрытия. [25]
Эта емкость образует с индуктивностью рассеяния трансформатора Ls последовательный контур, который при известном соотношении параметров схемы может оказаться резонансным и вызвать рост усиления каскада на частотах, близких к частоте резонанса. [26]
Почему в усилителе на пентоде индуктивность рассеяния трансформатора мало влияет на форму частотной характеристики. [27]
В формуле ( 5) индуктивность рассеяния трансформатора в силу ее малости ( для расчета) не учитывается. [28]
Искажения, вызываемые емкостью и индуктивностью рассеяния трансформатора, резко нарастают с ростом напряжения высоковольтной обмотки, поэтому желательно это напряжение иметь не более 3 - 4 кв, а для получения высоких выходных напряжений, порядка 30 - 40 кв, использовать схемы умножения с большим / гум. [29]
Из формул видно, что чем больше индуктивность рассеяния трансформаторов, тем больший сдвиг частот настройки контуров будет иметь место. [30]