Высокоточное воспроизведение
Cтраница 1
 |
График зависимости разрешающей способности пространственного фильтра для различных длин волн при различном относительном отверстии объектива. [1] |
Высокоточное воспроизведение элементов схем определяется всем комплексом физико-химических, фотохимических, светотехнических и химических процессов, входящих в фотолитографическую технологию. Процесс формирования защитных пленок фоторезистов является одной из основополагающих операций, определяющих надежную защиту поверхности подложки от воздействия травителей и перенос изображения в системе фотошаблон-фоторезист-подложка. [2]
Дифракционные явления, особенно в области тени, способствуют изменению профиля элементов, формируемых в фоторезисте, вызывая появление нерезкости и неровности края, появление вышеописанных дефектов. Рассматривая дифракционные явления в системе фотошаблон - фоторезист - подложка, мы сознательно не касались эффектов внутреннего отражения, хотя следует отметить, что параметры элементов и оптимальные режимы их воспроизведения во многом определяются и этими явлениями. Поэтому представляет интерес проследить влияние отражения светового потока и последующей интерференции на высокоточное воспроизведение геометрических размеров элементов и оценить тот вклад, который оно наряду с дифракцией вносит IB искажение геометрических размеров элементов. [3]
Зарождение скрытого изображения в слое фоторезиста в процессе экспонирования в системе: источник света - фотошаблон - фоторезист - подложка и последующая реализация этого изображения при проявлении, а также предельные возможности контактной фотолитографии во многом зависят от оптических эффектов в системе. Среди оптических явлений, влияющих на процесс экспонирования, в первую очередь следует отметить дифракционные явления, эффекты отражения, интерференцию. Именно эти эффекты будут определять предельную возможность контактной фотолитографии по разрешающей способности и те побочные явления, которые приводят к деформации изображения или появлению технологического брака, снижающего выход фотолитографического процесса. В этом плане представляет интерес проследить кинетику зарождения изображения в пленке фоторезиста и последующей его реализации при проявлении, оценить удельное влияние каждого явления для воспроизведения элементов различных геометрических размеров и сформулировать основные требования высокоточного воспроизведения геометрических размеров элементов. [4]
Светочувствительность фоторезистов зависит при прочих равных условиях от квантового выхода фотохимических реакций. В этом плане истинная светочувствительность покрытий характеризуется относительным количеством функциональных групп, подвергшихся фотолизу. Однако и этот метод является только предпосылкой для оценки всего комплекса свойств фоторезистов, связанных с их светочувствительностью, тем более что технолога интересуют не столько абсолютные значения светочувствительности ( вычисленные по одной из методик), характеризующие воспроизводимость свойств отдельных партий материала, а то, как этот параметр будет воспроизводиться в конкретных производственных условиях при оптимизации режимов экспонирования. Как показывает практика, выбор оптимальных режимов экспонирования зависит не только от исходной светочувствительности фоторезистов, но и от условий формирования пленок, интенсивности освещения, типа подложки и фотошаблона, режимов проявления. В этом плане представляет интерес изучение взаимосвязи светочувствительных характеристик фоторезистов с условиями высокоточного воспроизведения геометрических размеров элементов схем. [5]
Страницы: 1