Cтраница 1
Малые индуктивности могут быть измерены резонансным способом. Его используют главным образом для исследования высокочастотных катушек, индуктивность которых имеет значение от нескольких сотых микрогенри до нескольких миллигенри. Измерительная цепь ( рис. 15.3 питается от источника регулируемого по амплитуде и частоте напряжения Ult измеряемого электронным вольтметром PV1 действующего значения. [1]
Малые индуктивности, как показано выше, изготовляют осаждением проводящих и магнитных пленок соответствующей конфигурации. [2]
Малые индуктивности могут быть измерены резонансным способом. Его используют главным образом для исследования высокочастотных катушек, индуктивность которых имеет значение от нескольких сотых микрогенри до нескольких миллигенри. Измерительная цепь ( рис. 15.3) питается от источника регулируемого по амплитуде и частоте напряжения t / i, измеряемого электронным вольтметром PV1 действующего значения. [3]
Малая индуктивность первичной обмотки приводит к скосу крыши выходного импульса. [4]
Даже весьма малая индуктивность ( L як 0 01 мкГ) при суммарной емкости схемы 20 пФ соответствует частоте 500 МГц, лежащей в диапазоне рабочих частот диода. Наличие паразитного колебательного контура с отрицательной составляющей сопротивления нередко приводит к самовозбуждению схем на высокой частоте и требует принятия мер по его предотвращению. Поэтому иногда оказывается целесообразной коаксиальная конструкция диода, характерная для многих элементов СВЧ. [5]
Измерение малых индуктивностей ( порядка единиц и долей микрогенри) и малых емкостей ( порядка единиц и долей пикофарад) не может быть выполнено достаточно точно описанными выше методами. Измерение емко-ным дифференциальным мето - сти дифференциальным медом по изменению частоты ге - тодом. Так как современная измерительная техника позволяет измерять очень малые приращения частоты, то этот метод дает возможность достаточно точно измерять небольшие значения индуктивностей и емкостей. [6]
Катушки малой индуктивности могут Изготовляться в виде однослойных соленоидов, а большой индуктивности наматываются в несколько слоев. [7]
При малой индуктивности средняя температура искры в наиболее горячих ее участках достигает 10000 - 12000 К. Такая высокая температура достигается благодаря кратковременности импульса тока и большой его мощности. Увеличение числа пробоев за полупериод снижает мощность единичного разряда, а потому может повлечь за собой снижение температуры плазмы. Увеличение напряжения пробоя и уменьшение индуктивности в контуре способствует повышению температуры. [8]
Вследствие малой индуктивности обмоток кадровый импульс через трансформатор не проходит. [10]
При малой индуктивности катушки происходит ее быстрый разряд ( истощение), и некоторое время в ней отсутствует ток. [11]
![]() |
Упрощенная эквивалентная схема реостатного усилителя с коррекцией. фронта. [12] |
При малой индуктивности L представленная на рис. 11.6 цепь является апериодическим контуром. [13]
Благодаря малой индуктивности якоря генератора при коротком замыкании электрода с изделием происходит быстрое возрастание силы сварочного тока и мгновенное оплавление электрода. Это способствует быстрому и надежному возбуждению дуги. [14]
Благодаря малой индуктивности якоря генератора при коротком замыкании электрода с изделием происходит быстрое возрастание сварочного тока и почти мгновенное оплавление электрода. Это благоприятствует быстрому и надежному возбуждению дуги. [15]