Паразитная индуктивность

Cтраница 3

В туннельном диоде, имеющем паразитную индуктивность и емкость, при некоторой частоте могут возникнуть условия для резонанса, что нарушит нормальную работу схемы с туннельным диодом. Поэтому резонансная частота туннельного диода / о является еще одним параметром, характеризующим частотные свойства туннельного диода. [31]

В туннельном диоде, имеющем паразитную индуктивность и емкость, при некоторой частоте могут возникнуть условия для резонанса, что нарушит нормальную работу схемы с туннельным диодом. Поэтому резонансная частота туннельного диода f0 является еще одним параметром, характеризующим частотные свойства туннельного диода. [32]

Если конденсатор Сс будгт обладать значительной паразитной индуктивностью, то эта индуктивность, входя в схему усилительного каскада, может послужить причиной дополнительных частотных и фазовых искажений, особенно в широкополосных усилителях. [33]

Как следует из формулы (12.18), паразитная индуктивность уменьшается при уменьшении размеров резисторов. Для резистора, показанного на рис. 12.2, д при уменьшении расстояния между соседними линиями индуктивность также уменьшается за счет действия взаимоиндукции. [34]

Изменения в схеме блока ПТП-1 для приема в 6 - 12 ка. [35]

На частотах 6 - 12 каналов значительная паразитная индуктивность этого проводника расстраивает контур с катушкой L3 и усиление, даваемое УВЧ, уменьшается. [36]

При этом не учитываются собственная и паразитные индуктивности ГИН, индуктивность внешней цепи, емкости элементов ГИН между собой, а также запаздывание срабатывания разрядников. [37]

К расчету влияния индуктивности монтажных проводников. [38]

Пусть в нашей чопперной схеме присутствует паразитная индуктивность L, которая при протекании тока iD накапливает энергию, как показано на рис. 9.14. Когда транзистор VT закрывается, току iD требуется цепь разряда, однако поскольку ее нет, ток уменьшается со скоростью закрытия транзистора. [39]

Схемы цепей переключения пределов измерения. [40]

Во-вторых, высокостабильные проволочные резисторы обладают большими паразитными индуктивностями и емкостями, тем более заметными, чем больше абсолютная величина сопротивления, в то время как паразитная емкость непроволочных резисторов составляет 0 2 - 0 5 пф независимо от абсолютной величины сопротивления. [41]

Схемы, моделирующие проводимость Ки участка однопроводной коронирующей линии ( а и проводимости. ц и К12 трехпроводной транспонированной коронирующей линии ( б. [42]

Модель собирается из маломощных элементов, однако паразитные индуктивности и емкости монтажной схемы влияют незначительно. [43]

Более сложной оказывается оценка погрешности связанной с паразитной индуктивностью, последовательной с общим электродом транзистора. [44]

Условное обозначение ( а и вольтамперная характеристика ( б туннельного диода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5