Распределенная индуктивность

Cтраница 4

Генератор с обратной связью по схеме Армстронга. [46]

Это особенно существенно на высоких частотах, где паразитные емкости и распределенные индуктивности сильно влияют на частоту генерируемого сигнала. [47]

Распределение тока и напряжения в вибраторе. [48]

При этом наибольший ток проходит в середине вибраторов, так как по этому участку проходят заряды всех элементарных емкостей, к концам вибратора ток уменьшается до нуля. При разряде элементарных конденсаторов энергия электрического поля переходит в энергию магнитного поля распределенных индуктивностей. [49]

Искусственная линия - электрическая пепь, составленная из многих звеньев, содержащих емкости и индуктивности, и по некоторым свойствам эквивалентная длинной линии. Свойства длинной линия связаны с тем, что она обладает распределенной емкостью и распределенной индуктивностью. В случае однородной линии эти емкость и индуктивность распределены по длине линии равномерно. [50]

Остановимся отдельно на рассмотрении замкнутой неразветвленной цепи тока, состоящей из индуктивности, емкости и омического сопротивления, которые в соответствии с отношением (18.3) будем считать сконцентрированными в некоторых определенных местах цепи. Иными словами, вместо сопротивления, распределенного по всему проводу, введем магазин сопротивлений, вместо распределенной индуктивности ( с которой мы познакомились при рассмотрении индуктивности двухпроводной линии в § 15, Д) введем катушку; распределенную емкость замкнутой цепи также заменим емкостью плоского конденсатора, расположенного в каком-либо месте цепи. [51]

На рис. 20.1 изображена соответствующая эквивалентная схема. Не следует забывать, что эта схема является условной, так как в действительности приходится иметь дело с распределенными индуктивностями и емкостями. Используя эту схему, нетрудно показать, что сопротивление нагрузки, отнесенное, например, к поперечному сеч е-нию В, в общем случае будет отличаться от сопротивления, отнесенного к сечению А. Другими словами, входное сопротивление однородной л № нии будет зависеть от положения отсчетной плоскости, в которой оно определяется. Четырехполюснику, расположенному между сечениями А и В, как и вообще любому другому четырехполюснику, соответствует, по крайней мере, одна фиксированная точка, определяющая в данном случае так называемое волновое сопротивление линии. Так как каждый отрезок линии можно представить себе состоящим из последовательно включенных более коротких отрезков линии, и при этом фиксированная точка трансформируется каждым из этих более коротких отрезков линии сама в себя, то положение фиксированной точки, а следовательно, и волновое сопротивление линии оказываются независящими от длины последней. [52]

Следовательно, добротность равна умноженному на 2я отношению энергии, запасенной в контуре, к энергии, рассеиваемой за один период. Данное определение добротности справедливо не только для контуров с сосредоточенными индуктивностями и емкостями, но и для контуров с распределенными индуктивностями и емкостями, например, коаксиальных контуров и объемных резонаторов. [53]

Строгий расчет получающихся режимов и вычисление коэффициентов передачи на участке от входа прибора до первой усилительной или детекторной ступени в общем виде не представляется возможным осуществить из-за отсутствия точных данных о параметрах цепей. Для ориентировочного представления о получающихся соотношениях целесообразно, как показал опыт, исходить из предположения, что входное устройство представляет собой цепь с равномерно распределенной индуктивностью, порядка 1 мкгн / м, и почти постоянной емкостью, в основном определяющейся емкостями перечисленных выше компонентов, а не монтажа. [54]

Образование фильтра М ( б из фильтра типа К. ( а.| Частотная характеристика затухания фильтра нижних частот при Afl и М.| Двухпроводная линия ( а и ее эквивалентная схема ( б. [55]

Если нагрузка Z2 полностью поглощает энергию, доставляемую ей падающей волной, то никакой другой волны не возникнет. Если же нагрузка не может полностью поглотить эту энергию, то возникает о т - раженная волна, которая также представляет собой последовательный разряд ( или заряд) распределенных емкостей через распределенные индуктивности. В результате через любое сечение линии проходят две волны тока и напряжения: падающая и отраженная. [56]

В самом деле, емкость для продольной компенсации выбирается исходя из условий промышленной частоты. Для токов высших частот она представляет значительно меньшую реактивность, чем естественно распределенная индуктивность линии, а также индуктивность остальных элементов цепи. Для токов низших частот имеет место обратная картина. [57]

В качестве колебательных систем на частотах выше 300 МГц применяются линии с распределенными параметрами. Однако габариты таких устройств оказываются чрезмерно большими и практически нецелесообразными. Для уменьшения размеров в конце длинной линии включают конденсатор или используют резонансные контуры с распределенной индуктивностью и с сосредоточенной емкостью. Такие колебательные системы называются контурами переходного типа. Подобные контуры имеют большой коэффициент перекрытия по частоте ( до 5), обладают высокой добротностью ( до 1000) и используются в диапазоне частот 300 - 1000 МГц. Один из вариантов рассматриваемых контуров показан на рдс. [58]

Наиболее простая одноступенчатая схема ГИН ( рис. 6 - 12) состоит из конденсатора Съ заряжаемого через высокоомное сопротивление R1 от источника выпрямленного напряжения, и разрядного промежутка Рг. Когда напряжение на конденсаторе достигнет заданного значения Ult воздушный промежуток в шаровом разряднике Fi пробивается, конденсатор Сх разряжается на сопротивление R3; напряжение f / 2 на образце быстро возрастает, достигает максимального значения и затем спадает до нуля. Форма импульса t / 2 ( т) зависит от параметров разрядного контура ( рис. 6 - 12, б), в частности от распределенной индуктивности. При 2 0 и малой индуктивности скорость возрастания напряжения U2 весьма велика и ограничивается в основном только распределенной индуктивностью контура. Шаровой разрядник F2 служит для измерения напряжения пробоя ( стр. Изменяя расстояние между шарами разрядника FI, можно регулировать амплитуду импульса. В схеме ГИН различают зарядный и разрядный контуры. Зарядный контур в схеме рис. 6 - 12, а состоит из выпрямителя, сопротивления Къ конденсатора G. Сх; сопротивлением промежутка F при пробое пренебрегают. Схема рис. 6 - 12, а позволяет получить отрицательную волну напряжения, схема рис. 6 - 12, в - положительную. [59]

Криоэлектронные линии задержки представляют собой тонкий кабель из сверхпроводника, свернутый в спираль и помещенный в криостат. Время задержки определяется длиной кабеля и соответствует единицам или долям миллисекунды. Для получения времени задержки, измеряемого наносекундами или пикосекундами, используют сверхпроводящие меандры - извилистые линии из узких тонких сверхпроводящих пленок на диэлектрической подложке. Изменяя внешним полем распределенную индуктивность такой линии, можно управлять временем задержки. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5