Cтраница 3
Динамические БИС ЗУ строятся иа запоминающих элементах, сохраняющих свое состояние в течение определенного промежутка времени с периодическим восстановлением. Время хранения заряда зависит от типа ячейки, технологии, частоты обращения и обычно лежит в интервале от единиц миллисекунд до нескольких секунд. Запоминающим элементом служит конденсатор, в котором информация хранится в виде наличия или отсутствия заряда. Для считывания и восстановления заряда запоминающего конденсатора используется, как правило, схема на одном транзисторе. [31]
Изменяя напряжение положительного смещения на сетках обеих ламп, можно плавно и в широких пределах изменять частоту F. На аноде лампы Лг при этом будут действовать им - 9.13. Крас - пульсы с постоянной длительностью tul и плавно чету делителя регулируемым периодом повторения. Максимально возможная частота колебаний при этом [ ограничивается выполнением условия восстановления заряда времязадающих конденсаторов. [32]
Применяемый генератор в процессе эксплуатации не требуется смазывать. Смазка заложена в герметизированные подшипники на весь срок службы генератора до капитального ремонта. Для обеспечения надежной и безотказной работы генератор нужно содержать в чистоте. Ежедневно и перед выездом нужно проверять генератор по показанию амперметра. При работе двигателя со средним числом оборотов генератор должен давать зарядный ток, величина которого падает по мере восстановления заряда аккумуляторной батареи. При исправной и полностью заряженной аккумуляторной батарее и отключенных потребителях отсутствие зарядного тока не свидетельствует о неисправности генератора. [33]
В общем случае можно считать, что поверхностный заряд образован зарядом быстрых и медленных состояний. Соотношение между этими составляющими заряда определяется физико-химическим состоянием поверхности полупроводника и окружающей газовой среды. Опытным путем было установлено, что поверхностный заряд в основном является зарядом медленных состояний. Концентрация медленных состояний составляет около 10 - 1013 см-2. Равновесное заполнение состояний определяется их положением относительно уровня Ферми и температурой полупроводника. При изменении равновесного состояния полупроводника меняется равновесное заполнение медленных уровней, но после прекращения возбуждения происходит восстановление прежнего заряда. Скорость восстановления существенно зависит от окружающей атмосферы, что указывает на адсорбционную природу медленных состояний. Появление медленных состояний связано с образованием оксидной пленки на поверхности полупроводника. [34]