Восстановление - окись
Cтраница 3
При восстановлении окиси вольфрама до металла для регулирования скорости роста зерен добавляют небольшие количества нитрата гафния. [31]
При восстановлении окисей триарилфосфинов происходит также частичное отщепление одного из арильных остатков, в результате чего в качестве побочного продукта получается диарилфосфин. [32]
 |
Коэффициент полезного действия выпрямителей электротока ( по Шмидту - Нейхаузену. [33] |
При восстановлении окиси алюминия углеродом до жидкого алюминия образуется карбид алюминия. [34]
При магнийтермическом восстановлении окиси бора при относительно невысоких температурах ( начиная от 1000) достигается полное связывание бора в карбид состава В4С с получением мелкозернистого порошка. [35]
При цинкотермическом восстановлении окиси бария в вакууме образуется сплав цинка и бария. [36]
В вакууме восстановление окиси магнил кальцием идет более полно, и при температуре 800 до 90 % MgO переходит в магний. [37]
Напротив, восстановление окиси вольфрама WO2 до металла [51] при давлении водорода 0 5 - 200 торр и температурах 500 - 800 С не приводит к сигмоидным кривым, за исключением лишь очень низких температур и давлений. [38]
Изучена реакция восстановления окиси циклододекатриена водородом в жидкой фазе в присутствии гетерогенных катализаторов. [39]
Изучена реакция восстановления окиси щж. Показана возможность превращения непосредственно эноксидатов циклододекатрнена в циклододекапол или циклододека-нон с высокими выходами целевых продуктов. [40]
Рассматриваемому процессу восстановления окиси бария за счет химической реакции с керном не мешает, а, возможно, даже несколько помогает образование в покрытии и выделение из него больших количеств окиси углерода. Последняя создает восстанавливающую среду, поэтому для образовавшихся атомов бария уменьшаются шансы на обратное окисление. [41]
В результате восстановления окиси бария в узлах кристаллической решетки оксида образуются атомы свободного бария. Барий в этом случае представляет собой до норную примесь, и оксидный слой превращается в полупроводник с электронной проводимостью. Часть атомов свободного бария диффундирует к поверхности и создает там одноатомный слой, который при испарении пополняется за счет диффузии бария да глубины оксидного слоя. [42]
 |
Схема роста и перекрывания зародышей. [43] |
Зависимость скорости восстановления окисей металлов водородом от его давления описывается дробно-рациональными выражениями лэнгмюровского типа. Зависимость скорости топохими-ческнх реакций от температуры может быть весьма сложной из-за промежуточных фазовых превращений. Однако для реакций восстановления водородом в исследованных случаях она соответствует аррениусовской. [44]
В результате восстановления окиси бария в узлах кристаллической решетки оксида образуются атомы свободного бария. Барий в этом случае представляет собой до норную примесь, и оксидный слой превращается в полупроводник с электронной проводимостью. Часть атомов свободного бария диффундирует к поверхности и создает там одноатомный слой, который при испарении пополняется за счет диффузии бария да глубины оксидного слоя. [45]
Страницы: 1 2 3 4