Инерционность - носитель - заряд
Cтраница 1
Инерционность носителей заряда ведет к тому, что вольтметр показывает заниженное значение измеряемого напряжения, причем занижение тем больше, чем выше частота. [1]
С -, а инерционность носителей заряда учитывают, вводя зависимость коэффициента усиления триода а от частоты со ( или от оператора р, об операторе р см. гл. [2]
Погрешности за счет резонанса и инерционности носителей заряда имеют противоположные знаки, и поэтому происходит их частичная ( или полная) компенсация. [3]
 |
К объяснению эквивалентной схемы транзистора с общей базой на низких частотах. а, б - внутренние сопротивления транзистора. в - схема с генератором тока. 9 - схема с генератором напряжения. [4] |
Эквивалентная схема транзистора для высоких частот усложняется введением реактивных сопротивлений, обусловленных межэлектроднымв емкостями и инерционностью носителей заряда. [5]
 |
Эквивалентная схема. [6] |
Импульсный режим характеризуется быстрыми изменениями токов и напряжений, следовательно, в этом режиме должна сказываться инерционность носителей заряда. [7]
В униполярных транзисторах перенос заряда производится всегда за счет тока проводимости, как и в проводниках, и в этих условиях инерционность носителей заряда оказывается очень малой. Основное влияние на свойства схемы с полевым транзистором оказывают емкости между его электродами. [8]
Инерционность движения электронов в лампе начинает заметно сказываться лишь на сверхвысоких частотах. В транзисторах инерционность носителей зарядов может оказывать влияние на работу каскада уже и на верхних частотах звукового диапазона частот. [9]
 |
Гибридная П - образная эквивалентная схема. [10] |
Под влиянием этого напряжения изменяются распределение концентрации инжектированных в базу носителей заряда и токи во внешних цепях. На низких частотах инерционность носителей заряда не проявляется ( квазистатический режим), поскольку управляющее напряжение изменяется сравнительно медленно. [11]
Динамическую эквивалентную схему получают из статической путем добавления реактивных параметров прибора. Физическая природа этих добавляемых параметров объясняется инерционностью носителей заряда в полупроводнике, возникновением паразитных емкостей между электродами, наличием индуктивности выводов. Последний параметр в импульсной технике обычно не учитывают. Поскольку размер и индуктивность выводов невелики, то для частот спектра сигналов, характерных для импульсной техники, индуктивное сопротивление оказывается пренебрежимо малым. Учет реактивных параметров прибора делает динамическую эквивалентную схему пригодной для анализа быстрых процессов, в частности для анализа процессов, возникающих при воздействии на нелинейную цепь фронта импульса. [12]
Рассмотрим теперь кратко источники шумов квантовых усилителей. В электронных лампах и транзисторах, как известно, источниками шумов являются дробовые шумы, шумы перераспределения носителей зарядов между электродами и шумы, обусловленные инерционностью процессов носителей зарядов. В квантовых усилителях отсутствуют поток и инерционность носителей зарядов, а следовательно, и его флюктуации, в результате чего отсутствуют и дробовые шумы, и шумы перераспределения, и шумы, вызываемые инерционностью носителей зарядов. Шумы спонтанного излучения, как уже указывалось ранее, очень малы. [13]
Рассмотрим теперь кратко источники шумов квантовых усилителей. В электронных лампах и транзисторах, как известно, источниками шумов являются дробовые шумы, шумы перераспределения носителей зарядов между электродами и шумы, обусловленные инерционностью процессов носителей зарядов. В квантовых усилителях отсутствуют поток и инерционность носителей зарядов, а следовательно, и его флюктуации, в результате чего отсутствуют и дробовые шумы, и шумы перераспределения, и шумы, вызываемые инерционностью носителей зарядов. Шумы спонтанного излучения, как уже указывалось ранее, очень малы. [14]
Поэтому такие схемы иногда называют эквивалентными схемами для области низких частот. Далее будем использовать термин статическая схема как наиболее краткий. Статическую схему получа-чают, исходя из рассмотрения положения аппроксимирующего отрезка в.а.х., что позволяет представить элемент в виде резистора, генератора тока, генератора напряжения или комбинации этих элементов. Динамическую эквивалентную схему получают из статической путем добавления реактивных параметров прибора. Физическая природа этих добавляемых параметров объясняется инерционностью носителей заряда в полупроводнике, возникновением паразитных емкостей между электродами, наличием индуктивности выводов. Последний параметр в импульсной технике обычно не учитывают. Поскольку размеры вывода и его индуктивность невелики, то для частот спектра сигналов, характерных для импульсной техники, индуктивное сопротивление оказывается пренебрежимо малым. Учет реактивных параметров прибора делает динамическую эквивалентную схему пригодной для анализа быстрых процессов, в частности для анализа процессов, возникающих при воздействии на нелинейную цепь фронта импульса. [15]
Страницы: 1