Cтраница 3
Увеличение и Тм означает увеличение инерционности процессов. [31]
Таким образом, за счет инерционности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистора происходит искажение формы выходного импульса - он удлиняется и фронты становятся пологими. [32]
![]() |
Временные зависимости тока управляющего электрода ( а. основного напряжения на тиристоре ( б и основного тока через тиристор ( в, характеризующие процесс его включения. [33] |
Время нарастания для тиристора определяется инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базовых областях и инерционностью перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [34]
Частотные свойства варисторов могут определяться либо инерционностью процессов, приводящих к нелинейности вольт-амперной характеристики, либо собственной емкостью варистора. Доминирующее значение с точки зрения частотных свойств варисторов имеет их собственная емкость. [35]
Частотные свойства варисторов могут определяться либо инерционностью процессов, приводящих к нелинейности ВАХ, либо собственной емкостью варистора. Инерционность разогрева и охлаждения активных областей под точечными контактами между кристаллами очень мала. Поэтому частотные свойства варисторов определяются временем перезаряда их собственной емкости. [36]
Частотные свойства варисторов могут определяться либо инерционностью процессов, приводящих к нелинейности ВАХ, либо собственной емкостью варистора. Инерционность разогрева и охлаждения активных областей под точечными контактами между кристаллами очень мала. Поэтому частотные свойства варисторов определяются временем перезаряда их собственной емкости. [37]
Время нарастания / иар связано с инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базах тиристора. [38]
В такой форме знак минус указывает на инерционность процесса. [39]
![]() |
Отношение интегральных чувствительностей газонаполненного и вакуумного фотоэлементов гн в зависи. [40] |
На частотную характеристику должна оказывать также влияние инерционность процесса формирования фототока. В вакуумных фотоэлементах это явление может стать заметным только при частотах, далеко превышающих звуковые. В самом деле, время самого акта фотоэлектронной эмиссии ( поглощение фотона и прохождение электрона через поверхностный барьер) меньше 10 - 9 сек, а время пролета электронов при нормальных напряжениях и размерах величина порядка 10 - 8 сек -, эта последняя величина и дает порядок времени формирования тока. [41]
Справедливость соотношения (2.111) подтверждается следующими соображениями: инерционность процесса распространения подвижных носителей в базе исследуется в режиме короткого замыкания коллекторной цепи по переменному току. Этому режиму соответствует постоянство напряжения на коллекторе. [42]
Существенным недостатком приведенной схемы автоматизации является неучет инерционности процесса, проводимого в реакторе, выражающейся в запаздывании изменений параметров по отношению к возмущающим причинам этих изменений. Для плавного течения процесса система должна предусматривать повышение температуры или давления, чтобы заблаговременно передвинуть регулирующий орган на необходимую часть хода. [43]
Сделано предположение, что TI - функция инерционности процессов намагничивания и потерь энергии. Потери в ферритах в слабых высокочастотных полях в основном обусловливаются следующими механизмами: магнитным последействием, резонансом доменных границ и естественным ферромагнитным резонансом. С целью дальнейшего изучения этого вопроса и нахождения механизма, ответственного за величину TI, для серии никель-цинк-кобальтовых ферритов были исследованы спектры комплексной магнитной проницаемости в слабых полях и при повышенных индукциях, сняты зависимости магнитной проницаемости и индукции от напряженности магнитного поля, измерены гистерезисные петли при различных частотах и в квазистатическом режиме. [44]
Физически потери, обусловленные гистерезисом, вызваны инерционностью процессов роста зародышей перемагничивания, инерционностью процессов смещения доменных границ и необратимыми процессами вращения векторов намагниченности. [45]