Инерционность - фоторезистор
Cтраница 2
 |
Спектральная характери-стика фоторезистора. [16] |
Наряду с постоянной времени Тф для описания инерционности фоторезисторов приводят частотные характеристики, выражающие зависимость переменной составляющей фототока при освещении модулированным ( прерывистым) светом от частоты модуляции. [17]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [18] |
Наряду с постоянной времени Тф для описания инерционности фоторезисторов приводят частотные характеристики, выражающие зависимость переменной составляющей фототока при освещении модулированным ( прерывистым) светом от частоты модуляции. [19]
Пользоваться положительной обратной связью следует только в тех случаях, когда требуется резко уменьшить инерционность фоторезистора при его затемнении. Обычно при работе автоматических фотоэлектрических устройств для убыстрения их работы желательно уменьшать общую длительность как переходного процесса при освещении фоторезистора, так и переходного процесса при затемнении фоторезистора. [20]
Постоянные времени нарастания тнр и спада тсп фототока ( см. рис. 7.22, в) характеризуют инерционность фоторезистора, связанную с временем жизни носителей. Произведение М / гр определяется временем пролета и не зависит от времени жизни носителей. При одинаковом времени пролета t p фоторезистор с высокой чувствительностью более инерционный. [21]
 |
Схемы фотореле на фоторезисторе ( а и фотодиоде ( б. [22] |
При, использовании в фотореле в качестве выходных эле ментов электромеханических реле, время срабатывания которых значи тельно, инерционность фоторезисторов не имеет существенного значения В то же время фоторезисторы имеют большую мощность рассеяния, чтс позволяет получать простые и надежные схемы фотореле. [23]
Так как при теоретических выводах инерционность фотоэлементов не учитывалась, то, очевидно, и при снятии экспериментальных кривых инерционность фоторезисторов ФСД не сказывалась на работе фотоэлектрического микроскопа с частотой модуляции 50 гц. [24]
Интегральная чувствительность фоторезистора достигает величины 1 а.лм. Время срабатывания составляет обычно 10 - 4 - 10 - 5 сек и может достигать 10 - 7 сек. Высокая инерционность фоторезисторов определяется наличием большого количества ловушек ( центров захвата) в поликристаллических пленочных образцах. Захват носителей ловушками и высвобождение их после окончания светового сигнала существенно ухудшают частотные характеристики. В то же время наличие ловушек значительно повышает чувствительность фоторезисторов. [25]
Инерционность имеющихся фоторезисторов ограничивает максимальную частоту коммутации ключа величиной несколько сотен герц. В этом отношении фоторезистор уступает фототранзистору или обычному транзистору. Однако при усилении малых сигналов инфра-низкочастотного диапазона определяющими факторами являются величина нулевого уровня и стабильность, что присуще фоторезисторам. [26]
Важной характеристикой фоторезисторов является их инерционность, которая зависит как от концентрации свободных носителей заряда в фоточувствительном полупроводниковом материале, так и от характера их рекомбинации. В целом инерционность фоторезисторов весьма значительна; так, например, постоянные времени фронта и спада тока могут достигать 10 - 2 - 10 - 3 с. Как и у любого полупроводникового прибора, здесь фотосопротивление сильно зависит от температуры. [27]
Постоянная времени - это время, в течение которого фототок фоторезистора изменяется при освещении или при затемнении фоторезистора на 63 % ( в е раз) по отношению к установившемуся значению. Кроме того, инерционность фоторезистора связана с наличием ловушек захвата, а точнее, с их концентрацией и со скоростью их заполнения и опустошения. Так, например, с увеличением числа электронов в зоне проводимости при освещении полупроводника должно увеличиться число электронов и на ловушках захвата. Для этого требуется дополнительное время, равное ( плз / п) тп. [28]
 |
Характеристики фоторезисторов. [29] |
Увеличение числа ионизированных атомов тормозит движение электронов проводимости. В результате этого изменения фототока запаздывают во времени относительно изменений светового потока, что определяет некоторую инерционность фоторезистора. [30]
Страницы: 1 2 3