Cтраница 3
В чистом полупроводнике число свободных электронов и дырок очень мало. При добавлении к нему примеси количество свободных зарядов значительно увеличивается. [31]
Кристаллическая решетка полупроводника. [32] |
В чистом полупроводнике число свободных электронов и дырок-очень мало. При добавлении к нему примеси количество свободных зарядов значительно увеличивается. При этом, вводя в полупроводник соответствующую примесь, можно достигнуть того, что в нем будут преобладать либо электроны, либо дырки. [33]
Наука позволяет измерять число свободных электронов и дырок в единице объема и изучать поведение этих носителей тока в кристаллах. [34]
В большинстве случаев число свободных электронов и дырок в полупроводнике различно, на че ] и основана работа полупроводниковых приборов. [35]
С повышением температуры число свободных электронов очень быстро возрастает. [36]
Здесь Z - число свободных электронов на атом, 8 - плотность металла и М - его атомный вес, С-множитель, одинаковый для всех металлов. [37]
С возрастанием температуры число свободных электронов резко возрастает, и при достаточно высокой температуре полупроводники могут иметь проводимость, приближающуюся к проводимости металлов. [38]
С повышением температуры число свободных электронов очень быстро возрастает. Так, например, если энергия Е, необходимая для освобождения электрона, равна 1 эв, то при комнатной температуре примерно только один электрон на 10 атомов будет иметь запас тепловой энергии, достаточный для его освобождения. Концентрация свободных электронов будет очень мала ( около 10 на 1 см вещества), но все же достаточна для создания измеримых электрических токов. Но если мы понизим температуру до - 80 С, то число свободных электронов уменьшится приблизительно в 500 миллионов раз, и тело практически будет представлять собой изолятор. [39]
С повышением температуры число свободных электронов очень быстро возрастает. [40]
В результате этого число свободных электронов в центре трубки увеличивается и, следовательно, возрастает скорость накачки. Это позволяет объяснить наблюдаемое увеличение выходной мощности в случае, когда прикладывается внешнее магнитное поле. Удерживая разряд вблизи оси трубки, магнитное поле также уменьшает разрушение стенок. [41]
С возрастанием температуры число свободных электронов резко возрастает, и при достаточно высокой температуре полупроводники могут иметь проводимость, приближающуюся к проводимости металлов. [42]
С повышением температуры число свободных электронов очень быстро возрастает. Так, например, если энергия, необходимая для освобождения электрона, W - l эВ, то при комнатной температуре примерно только один электрон на 1018 атомов будет иметь запас тепловой энергии, достаточный для его освобождения. Концентрация свободных электронов будет очень мала ( около 101 м - 3), но все же достаточна для создания измеримых электрических токов. Но если мы понизим температуру до - 80 С, то число свободных электронов уменьшится приблизительно в 500 миллионов раз, и тело практически будет представлять собой диэлектрик. [43]
У ряда металлов число свободных электронов, приходящихся на один атом, оказывается значительно меньшим единицы. Кроме того, проявляется существенная анизотропия, так что свойства системы электронов в разных кристаллографических направлениях оказываются различными. [44]
Эта сильная ависимость числа свободных электронов от температуры является самой характерной особенностью полупроводников, резко отличающей их от металлов, в которых число свободных электронов от температуры не зависит. Эта величина W, называемая энергией ионизации, для разных веществ различна, но в общем имеет значения от нескольких десятых электронвольта до нескольких электронвольт. Определенная, очень небольшая доля электронов имеет достаточный запас энергии, чтобы перейти из связанного состояния в свободное. Эти электроны и обусловливают возможность прохождения электрического тока через полупроводник даже при комнатной температуре. [45]