Cтраница 2
Конструктивно плоскостной триод ( рис. 17 - 12) представляет собой монокристалл германия, в котором за счет вплавления индия создаются три области с резко отличными проводимостями. Диффундируя в германий, индий сообщает поверхностному слою дырочную проводимость, образуя р-и-переход. Кристалл германия, являясь базой, через кристаллодержатель связан с корпусом, к которому припаян контактный вывод. К коллектору и эмиттеру из индия припаивают токосниматели, закрепляемые в стеклянных изоляторах. Токосниматели припаиваются также к контактным выводам. [16]
Необратимые изменения структуры монокристалла транзистора возникают при критической температуре, которая для сплавных р-п - р транзисторов с переходами, образованными путем вплавления индия IB германий лежит в пределах 100 - 120 С. Однако предельно допустимая температура должна быть выбрана - меньше критической ввиду неоднородности свойств перехода по всей его площади и связанного с этим повышенным значением выделяемой мощности, а Следовательно, и температуры в локальных областях перехода. Можно считать, что если температура перехода не превышает 80 С, то после охлаждения параметры транзистора полностью восстанавливаются. [17]
Обычный диапазон температур вплавления индия в германий лежит в пределах 400 - 500 С. [18]
Электроды мощных транзисторов. [19] |
Мощные сплавные транзисторы характеризуются некоторыми конструктивными отличиями. Эмиттер таких транзисторов получают вплавлением индия с примесью галлия, что позволяет увеличить коэффициент инжекции и получить токи эмиттера значительной величины. [20]
Зависимость коэффициента шума триода от частоты сигнала.| Зависимость коэффициента шума плоскостных триодов от напряжения коллектора и тока эмиттера. [21] |
Триоды П13 - П15 относятся к типу р-п - р и изготовляются из германия n - типа с удельным сопротивлением 1 - 1 5 ом-см и диффузионной длиной дырок не менее 0 5 мм. Для получения эмиттерного и коллекторного переходов применяют вплавление индия в среде водорода при температуре 550 С. [22]
Зависимость обратного тока диода от влажности окружающей среды для переходов, обработанных химическим ( / и электрохимическим ( 2 травлением. [23] |
Различная скорость травления полупроводников с различным типом проводимости сказывается при травлении электронно-дырочных переходов. На рис. 7 - 38 показан профиль перехода, полученный вплавлением индия в германий n - типа. [24]
Эмиттерная навеска, состоящая из сплава ( In Ga Sb), располагается с одной стороны продолговатой лунки, базовая навеска, состоящая из сплава ( Pb Sb) - с другой стороны лунки. Во время вплавления сурьма из эмиттерной навески диффундирует в базовую область, создавая неравномерное распределение примеси, а вплавление индия и галлия ведет к образованию эмиттерной области, обладающей дырочной проводимостью. Расплавление базовой навески ведет к образованию невыпрямляющего контакта с базовой областью. [25]
В настоящей работе было исследовано изменение сопротивления образцов при приложении к ним импульсного напряжения при длительности импульса ги 500 мксек и частоте следования / 20 гц. Образцы изготовлялись из чистого германия с удельным сопротивлением 40 - г - 50 ом-см; инжектирующий контакт получался вплавлением индия в германий, омический - вплавлением олова. [26]