Фарадеевское вращение

Cтраница 2

Основное ограничение фарадеевского вращения как метода измерения эффективных масс заключается в усреднении измеряемого значения эффективной массы, если она анизотропна. Вырождение экстремумов валентной зоны, имеющее место во многих полупроводниковых материалах, осложняет интерг ретацию результатов для материалов дырочной электропроводности. [16]

Спектры пропускания стеклообразного La ( P03 3 % Се3 ( 1 и стеклообразного Се ( Р03 3 ( 2.| Диаграмма энергетических состояний церия. [17]

Детальный расчет фарадеевского вращения будет опубликован в дальнейшем. Скажем лишь, что в выражение фарадеевского вращения были включены все парамагнитные и диамагнитные величины магнитного взаимодействия. Парамагнитные величины преобладают и дают вращение, сильно зависящее от температуры. [18]

Известно, что фарадеевское вращение Се3 обусловлено преимущественно 4 / - 5й - переходами. На рис. 2 мы приводим эти энергетические уровни в октаэдрическом поле. [19]

Это явление называется фарадеевским вращением. [20]

Для слабых магнитных полей фарадеевское вращение в кубических кристаллах изотропно. [21]

Магнитное поле Галактики вызывает фарадеевское вращение плоскости поляризации излучения внегалактических радиоисточников. [22]

Магнитооптические материалы должны обладать высоким удельным фарадеевским вращением QF и малым коэффициентом оптического поглощения а. Конкретные технические применения накладывают дополнительные требова - о си ния на характеристики магнито - 500 оптических материалов. Так, для создания фазовращателей и тому подобных устройств нужны мате-риалы со сравнительно низкой на - 200 магниченностью насыщения. [23]

Для магнитооптического материала важно иметь фарадеевское вращение как можно больше, а оптическое поглощение - как можно меньше. [24]

В этом случае деполяризация отсутствует и фарадеевское вращение в два раза сильнее, чем в случае (13.200), когда излучающая среда однородно распределена по всей вращающей среде. [25]

Имеется мало опубликованных работ по осциллирующему фарадеевскому вращению, что связано отчасти с необходимостью работать с очень тонкими образцами, а отчасти с тем, что такие эксперименты дают весьма скудную информацию о зонной структуре. [26]

Существование продольного ненулевого магнитного сопротивления, анизотропия фарадеевского вращения или циклотронного резонанса - все это доказательства того, что энергетические поверхности не сферичны. [27]

Во избежание магнитного поглощения устройства [297] с фарадеевским вращением должны работать в области полей, далекой от резонанса. На низких частотах это условие трудно обеспечить, так как ферромагнитный резонанс может существовать, когда феррит еще ненасыщен. [28]

Закон Верде выражает простейшую ( линейную) зависимость фарадеевского вращения от величины внш, магн. [29]

Аппаратура может быть использована и для изучения однородности межзонного фарадеевского вращения. В этом случае, однако, усложняется интерпретация полученных результатов. [30]

Страницы: 1 2 3 4