Время - дрейф
Cтраница 3
В отличие от дрейфовой подвижности носителей заряда, которая определяется путем измерений времени дрейфа неравновесных носителей заряда в электрическом поле, в данном случае значение подвижности носителей заряда, вычисляемое из соотношения Эйнштейна, представляет собой амбиполярную диффузионную подвижность. [31]
При обычно реализуемых градиентах примеси в базовой области тянущее поле достаточно велико и время дрейфа в базе может быть почти на порядок меньше времени диффузии в однородной базе. Но вследствие высокой концентрации примеси у поверхности носителей подвижность падает и их время дрейфа оказывается всего в 2 - 5 раз меньше времени диффузии. Внутреннее поле в широком диапазоне значений sw / D снижает время пролета. Однако при большой скорости поверхностной рекомбинации ( параметр sw / Dn велик) усиливаются потери неосновных носителей, что соответствует уменьшению эффективной ширины р-области. Как и ранее ( см. § 5.2), фотоответ при этом уменьшается. [32]
 |
Зависимость коэффициента взаимодействия М от угла пролета Ф cod / f0 зазора различной конфигурации. [33] |
Положение зон генерации проанализируем для случая достаточно большой неоднородности поля отражателя, когда время дрейфа электрона вблизи точки поворота существенно превышает время дрейфа в остальном пространстве. Тогда сравнительно небольшие изменения напряжения отражателя Ь0 приводят к значительным изменениям времени дрейфа, а сильные изменения ускоряющего напряжения V0 не должны существенно влиять на распределение потенциала вблизи точки остановки и, следовательно, слабо изменяют время дрейфа. [34]
Из выражения ( 4 - 89) следует, что при т) 1 время дрейфа меньше времени диффузии. Однако выполнять это неравенство довольно трудно. Для сохранения высоких значений коэффициента инжекции ( например, не менее 0 99) необходимо выполнить условие Нл ( 0) С 0 01 N - л.ъ. Концентрация акцепторов в области эмиттера N я. [35]
 |
Усиление туннельными диодами. [36] |
Такие диоды имеют очень хорошие высокочастотные характеристики, так как туннелирование осуществляется основными носителями и не ограничено временем дрейфа неосновных носителей; в то же время при низком напряжении смещения рассеиваемая мощность невелика. Ra меньше отрицательного сопротивления Rn, емкость перехода С для диаметра перехода 0 0381 мм равна приблизительно 100 пф и, таким образом, высокочастотное гюлное сопротивление диода исключительно мало. [37]
 |
Зависимость коэффициента взаимодействия М от угла пролета Ф cod / f0 зазора различной конфигурации. [38] |
Положение зон генерации проанализируем для случая достаточно большой неоднородности поля отражателя, когда время дрейфа электрона вблизи точки поворота существенно превышает время дрейфа в остальном пространстве. Тогда сравнительно небольшие изменения напряжения отражателя Ь0 приводят к значительным изменениям времени дрейфа, а сильные изменения ускоряющего напряжения V0 не должны существенно влиять на распределение потенциала вблизи точки остановки и, следовательно, слабо изменяют время дрейфа. [39]
Но даже независимо от явления понижения значения а с ростом размеров / г-области увеличивать ее размеры оказывается непрактичным в связи с увеличением времени дрейфа дырок от эмиттера к коллектору, что приводит к ухудшению частотной характеристики. [40]
В работе [166] приводится несколько иное выражение для разрешающей способности: / дяа ] / /) а / др. где / ДР - время дрейфа носителей сквозь толщу полупроводника. Для кремния первое значение составляет но порядку величины 0 1 мм, второе - 0 01 мм. Следует отметить, что эти выражения, по существу, являются нижней и верхней границами разрешающей способности. Первая оценка сделана для случая, когда внешнее поле заэкранировано и происходит только диффузия носителей в плоскости границы полупроводник - жидкий кристалл. Вторая ( верхняя) оценка, напротив, не учитывает именно процесса такого растекания и соответствует режиму чистого накопления при то - Ст - т; тп. [41]
Если бы подвижность носителей в базе ир определялась только рассеянием на колебаниях решетки, то тянущее поле Е, как видно из (29.29), уменьшило бы время дрейфа по сравнению с tj в ln ( re ( 0) / п ( d)) раз. Однако для снижения сопротивления базы га ( 0) повышают до 1017 см-3. При этом вблизи эмиттера, как видно из рис. 12, существенную роль играет рассеяние на примесях и подвижность значительно снижается. Вместе с тем концентрацию носителей у коллектора нельзя делать ниже 1014 см-3, так как при меньших концентрациях предельная рабочая температура прибора, при которой число равновесных дырок приближается к числу электронов, будет очень низкой. [42]
Бесселя; е V / V0, V - амплитуда рабочей гармоники напряжения высокочастотного поля; F и G - факторы, учитывающие изменение группировки и времени дрейфа в поле отражателя, обусловленные влиянием пространственного заряда и искривленности эквипотенциалей поля отражателя; 90 2coL / f0; v0 - максимальная скорость потока. [43]
Угол сдвига фаз фк определяют из уравнения ( 100), принимая фэб х ( 1 - f - 2) фд и вычислив угол дрейфа по времени дрейфа / д, известному из справочных данных, и частоте со. [44]
 |
Устройство дрейфовой камеры. 1 - анодные ( сигнальные проволоки. 2 - катодные потенциальные проволоки. 3 - катодные проволоки. 4 - экран. На схеме обозначены потенциалы электрического поля. [45] |
Страницы: 1 2 3 4