Время - задержка - импульс
Cтраница 1
Время задержки импульса гад - интервал времени между фронтами входного и выходного импульсов микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения или тока. [1]
Время задержки импульса и хранения информации фазы Ф2 для К501ИКШ соответственно равно 30 и 50 мкс. [2]
Время задержки импульса / Зд - интервал времени между фронтами входного и выходного импульсов микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения или тока. [3]
 |
Структурная схема системы ПЧ. [4] |
Время задержки импульсов в каскадах УПЧ сравнимо с длительностью импульсов. Поэтому необходимо установить, какое влияние оказывает запаздывание на работу рассматриваемой системы. Трудности практического выполнения быстродействующей системы ПЧ, видимо, связаны с необходимостью обеспечения минимальной задержки импульсных сигналов. [5]
Время задержки импульса реверса 2 сек - 30 мин. [6]
Время задержки импульса интегральной микросхемы t i ( t; ) - - - интервал времени между фронтами входного и выходного импульсов микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения или тока. [7]
 |
Схема и временные диаграммы токов и напряжений узла принудительной коммутации тиристора с колебательным перезарядом конденсатора. [8] |
Изменяя время задержки импульса управления на коммутирующий тиристор i - h - 1, можно изменять скважность выходного напряжения и его среднее и действующее значения. [9]
От чего зависит время задержки импульса в видеоусилителе на биполярном транзисторе. [10]
Изучают зависимость 1Р от времени задержки импульса ( при постоянной v) и устанавливают механизм электродного процесса. [11]
Схемы задержки проверяются сравнением времени задержки импульсов с периодом повторения импульсов калибратора. Схема задержки запускается пусковыми импульсами от калибратора. [12]
Измеряют Eph и / Pk-Изменяя время задержки импульса при vl в / сек, регистрируют потенциал и высоту пика. [13]
Таким образом, меняя длительность времени задержки импульса и находя порог срабатывания схемы, мы тем самым определяем время восстановления испытуемого диода. [14]
Чтобы уменьшить дрожание импульса, а также время задержки импульса и длительность нарастания импульса тока, на управляющий электрод тиристора необходимо подавать импульсы с максимально допустимыми напряжением, током и мощностью. Время нарастания управляющего импульса должно быть менее 1 мксек, особенно при запуске нескольких последовательно включенных тиристоров, чтобы все они, несмотря на разброс в токе отпирания, включались одновременно. [15]
Страницы: 1 2 3 4