Время - задержка - сигнал
Cтраница 4
 |
Осциллограммы сигналов в. [46] |
Вертикальный АК строится по той же схеме, что и горизонтальный, однако из-за дискретности развертки по вертикали время задержки сигнала в линии задержки Дг должно быть кратно периоду строчной развертки Гстр. [47]
Как видно из осциллограмм на рис. 9.33 и результатов, приведенных в табл. 9.4, с уменьшением толщины образца уменьшается время задержки сигнала t - ti и длительность исследуемого сигнала. Амплитуда регистрируемого сигнала уменьшается при уменьшении толщины образцов до значения 2 мм. При переходе от 2 мм до 3 мм амплитуда изменяется незначительно. [48]
Скорость обращения сигнала по контуру управления определяется временем задержки сигнала в РЭА ( обычно оно не превосходит единиц микросекунд) и временем задержки сигнала человеком-оператором. Это время определяется так называемым латентным периодом - временем от момента появления сигнала средней интенсивности до момента ответа на него действием тл. [49]
 |
Зависимость аддитивного критерия оптимальности от сопротивления. Ri.| Зависимость минимаксного критерия оптимальности от сопротивления Rl. [50] |
Полученная зависимость минимаксного критерия от сопротивления Ri изображена на рис. 13.6. Здесь полагается TTi TTz 2Q - верхние ограничения на потребляемую мощность и время задержки сигнала. [51]
Особенностями ИС являются наличие схемы блокировки каналов 3 и 4 для дежурного режима; высокая точность выходного напряжения 5 В 2 %; время задержки сигнала сброса устанавливается внешним конденсатором; встроенная схема тепловой защиты и защиты от короткого замыкания. ИС состоит из четырех отдельных каналов со своими схемами управления. Каждый канал является непрерывным стабилизатором напряжения компенсирующего типа. Регулирующий р-п - р транзистор имеет специальный отвод для измерения протекающего через него тока. [52]
Рассмотрим двух пользователей С /, и С /, с максимальным разделением, т.е. на двух концах трассы, и пусть td определяет время задержки сигнала при его распространении по длине трассы. [53]
В результате анализа получаются напряжения и токи во всех элементах схемы; узловые потенциалы; токи, потребляемые от источников питания; фронты импульсов в указанных узловых точках; времена задержек сигнала по отношению к любым заданным точкам схемы; мощности, рассеиваемые отдельными элементами, и мощность, рассеиваемая всей схемой. [54]
Следовательно, время выполнения микрооперации сдвига равно ( 2тг тф т), где тг - время переключения триггера, тф - задержка сигнала на формирователе и т - время задержки сигнала на элементе задержки. [55]
 |
Матрица запоминающего устройства со схемой D. [56] |
Создание экономически выгодных больших ЗУ по схеме ЗЕТ приводит к тому, что быстродействие работы ЗУ зависит уже не от времени переключения сердечников при записи и считывании, а от времени задержки сигналов в длинных линиях, образованных обмотками. Таким образом, каждая из схем 2D и 3D имеет как сбои преимущества, так и свои недостатки. [57]
Как уже отмечалось в разделе 7.5, для логических микросхем с уровнем интеграции ( УТ) 250 нм, особенно микропроцессоров, работающих на тактовых частотах 1 ГГц и более, время задержки сигнала в алюминиевой металлизации с изоляцией на основе двуокиси кремния превышает время задержки сигнала в транзисторах. [58]
 |
Распределение плотности вещества мишени на момент времени. [59] |
Средняя скорость движения фронта газоплазменного облака, движущегося от облучаемой поверхности, в промежутке времени [ 0, г ] определяется соотношением v - L / т, где L - расстояние от поверхности мишени до оси зонда, т - время задержки сигнала, регистрируемого осциллографом. Поскольку ток в цепи зонда возникает в момент попадания плазмы в промежуток: корпус зонда - потенциальный электрод, время т идентифицируется как время пересечения передним фронтом плазменного облака плоскости, расположенной на расстоянии L от поверхности мишени. Эксперимент дает значение средней скорости движения переднего фронта в интервале времени 120 не t 1 мкс, равное 106 см / с, а расчет - 1 1 106 см / с. Соответствие экспериментально определенного и расчетного значений, таким образом, высокое. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5