Время - захват - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Человек, признающий свою ошибку, когда он не прав, - мудрец. Человек, признающий свою ошибку, когда он прав, - женатый. Законы Мерфи (еще...)

Время - захват

Cтраница 2


При выгрузке гравия из судна краном во время очередного захвата гравия грейфером из переднего правого угла секции произошло разрушение ближайшей к стенке левой опоры и падение крана с причальной стенки на судно.  [16]

Разумеется, при этом г не соответствует времени захвата; так могло бы быть, если бы s соответствовало времени вдоль 3, что, очевидно, не выполняется. Но преобразование т меняет лишь параметризацию, а не саму поверхность.  [17]

18 Схема регистрации движения инжектированных носителей в образце. [18]

Если в образце присутствуют глубокие ловушки с временем захвата, гораздо большим, чем время - переноса, то носители попадают в ловушки и не доходят до второго электрода. В этом случае с увеличением напряженности поля продолжительность импульса тока от движения носителей остается постоянной, увеличиваясь по амплитуде, и определяет время жизни носителей до захвата их глубокими ловушками. Это свидетельствует о том, что подвижность не зависит от напряженности поля.  [19]

Решение игры степени, платой в которой является время захвата, существенно зависит от барьера.  [20]

21 График тока через эмиттер при подаче зондирующих импульсов. [21]

Для доказательства правильности высказанного предположения было произведено определение времени захвата дырок поверхностью после наполнения базы дырками и длительного пропускания через эмиттер тока.  [22]

23 Зависимость изменения поверхностной проводимости от общего индуцированного заряда р и заряда в приповерхностной области.| Схема образования быстрых и медленных состояний на поверхности полупроводника. [23]

Экспериментально было установлено, что поверхностные состояния отличаются временами захвата носителей заряда. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителями между ними и объемом полупроводника.  [24]

25 Зависимость поверхностной проводимости Ao и плотности поверхностного заряда р. от энергии еф5 в приповерхностном слое.| Зависимость поверхностной проводимости от общего индуцированного ааряда р и заряда в приповерхностной области Р. [25]

Экспериментально было установлено, что поверхностные состояния отличаются временами захвата носителей заряда. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителя между ними и объемом полупроводника. Медленные состояния имеют большие времена захвата ( от 1СГ1 с до нескольких часов), так как носители заряда при переходе из объема полупроводника на эти уровни должны перейти через окисный слой, являющийся диэлектриком.  [26]

Третий случай встречается тогда, когда плотность жидкости во время захвата падает значительно ниже, чем во втором случае.  [27]

Недостатком указанных конструкций головок является вытягивание резьбы шпилек во время захвата их губками и за вертывания.  [28]

Для устранения провисания ( слабины) поддерживающих канатов во время захвата груза грейфером включатель / / / включается сектором 14 рычага 9, когда канаты, не испытывая нагрузки, провиснут.  [29]

О К, в то время как для постоянной времени захвата энергия активации уменьшается с ростом концентрации дырок. Используя статистику Шокли-Рида [97], Земел и Варела установили, что лимитирующей стадией рекомбинации является захват дырок на рекомбинационных центрах.  [30]



Страницы:      1    2    3    4