Время - изменение - температура
Cтраница 2
В переходных и аварийных режимах рост температуры структуры характеризуется постоянной времени rRthCth, где Rth - тепловое сопротивление; Cth - тепловая емкость структуры. Ввиду малого объема и поэтому небольшой тепловой емкости полупроводниковой структуры постоянная т мала и находится в пределах от 1 до 5 мс в зависимости от мощности полупроводникового прибора. Постоянная времени изменения температуры корпуса прибора составляет от 1 до 5 с. Отсюда видно, что полупроводниковые приборы весьма чувствительны к токовым перегрузкам. [16]
Поступающее в помещение тепло распределяется по всем поверхностям. Изменения температуры отдельных поверхностей во времени могут не совпадать между собой. Величиной еу ч, определяют отставание во времени изменений температуры поверхности от изменений проходящего через поверхность теплового потока ( рис. VII. Сложение величин Yt отдельных ограждений в формуле ( VI 1.10) нужно провести с учетом их несовпадения во времени. [17]
Кроме термического расширения включений и различных фаз, на градиент напряжений в микрообъемах оказывают влияние также и различная теплопроводность этих фаз. Это приводит к локальным температурным градиентам в микрообъемах. В многофазных материалах могут возникать дополнительные структурные микронапряжения, если во время изменения температуры происходят фазовые превращения, а возникшие фазы отличаются от матрицы удельным объемом. [19]
Пьезоэлектрический эффект связан с появлением электрических зарядов при механической деформации кристалла. Он присущ кристаллам с низкой симметрией, классическими образцами которых считают кварц и сегнетову соль. Кристаллы, у которых изменение поляризации с температурой можно определить, измеряя количество электрических зарядов, прошедших в замкнутой цепи за время изменения температуры, называются пироэлектриками. Сегнетоэлек-триками можно считать пироэлектрики, у которых спонтанная поляризация изменяет направление при изменении полярности приложенного внешнего электрического поля. [20]
Реакция, которая протекает после возмущения системы, приводит к тому, что концентрации реагентов и продуктов реакции достигают своих новых равновесных значений. За этим изменением концентраций наблюдают с помощью какого-либо метода быстрого детектирования, как и в случае описанного выше метода остановленной струи. Величина скачков температуры и давления достигает несколько градусов и 300 атм соответственно. Принцип этих методов требует, чтобы скорость изменения температуры или давления была велика по сравнению со скоростью реакции. На практике скачки температуры и давления осуществляют за время 1 мкс. На рис. 3.4 показана идеальная зависимость от времени изменения температуры или давления, а также соответствующей величины, рассматриваемой как мера протекания реакции, например концентрации продукта реакции. На практике применяют небольшие смещения положения равновесия, что позволяет определять линейные по отклонению эффекты. [21]
Процесс изменения температуры у элемента релейного действия протекает так же, как и у линейного элемента. Разница заключается лишь в том, что положение в этом случае изменяется скачкообразно в моменты, соответствующие достижению температуры срабатывания или температуры отпускания. Поэтому тепломеханический преобразователь релейного действия должен быть замещен последовательно соединенными апериодическим и релейным звеньями. Для апериодического звена в этом случае входной величиной является температура окружающей среды, а выходной - температура самой пластины. Для релейного звена входной величиной служит температура пластины, а выходной - перемещение. При этом релейный элемент может полагаться безынерционным, так как время переброски пластины из одного крайнего положения в другое гораздо меньше времени изменения температуры пластины от температуры срабатывания до температуры отпускания или наоборот. [22]
Страницы: 1 2