Время - накопление
Cтраница 1
 |
Логический элемент 4И - НЕ ТТЛ с диодами Шоттки ( ТТЛШ. [1] |
Времена накопления и рассасывания избыточного заряда в базах транзисторов ограничивают быстродействие элементов ТТЛ. [2]
Время накопления tK зависит от значения тока управления, времени его протекания, характера зависимости коэффициентов ап и а. Изменяя эти параметры, можно в сильной степени регулировать время накопления. [3]
 |
Зависимость максимального тока растворения пленки Се ( ОН4 от концентрации ионов Се в растворе и вольтамперные кривые катодного растворения пленки. [4] |
Время накопления и чувствительность по-лярографа выбирают в зависимости от содержания индия и ртути в цинке. [5]
Время накопления в сепараторе и число импульсных пропусков жидкости через счетчик за время измерения зависит от дебита измеряемой скважины. Время продавки жидкости через расходомер от дебита скважины практически не зависит. [6]
Время накопления ступенчатого регулируется в пределах 1 - 99 мин. [7]
Время накопления представляет собой время, необходимое для удаления из базы избыточного заряда Q бн. [8]
Время накопления зависит в первую очередь от организации работы и может быть значительно снижено путем активного воздействия на процесс накопления вагонов на станции. [9]
Время накопления в этом случае рассчитывается по формулам ( 15) и ( 16), где т соответствует величине состава поезда по отправлению. Если все транзитные поезда идут по сквозным расписаниям, то может возникнуть небольшая дополнительная затрата вагоно-часов. [10]
Время накопления, жидкости при периодической эксплуатации относится к рабочему времени. [11]
Время последетекторного накопления при АСА целесообразно выбирать максимально допустимым, поскольку периодических и импульсных процессов в чистом виде нет, они всегда зашумлены, а для уменьшения статистической погрешности желательно возможно большее время осреднения. [12]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [13] |
Время накопления неравновесных носителей в базе диода зависит от времени жизни неосновных носителей. Для снижения времени накопления применяется диффузия золота. При этом время жизни неосновных носителей составляет примерно 10 не. Однако диффузия золота снижает коэффициент усиления и транзисторы могут иметь большую задержку включения. [14]
Во время накопления электрод поляризуют при потенциале, обеспечивающем электрохимическую реакцию определяемого ЭАВ на поверхности электрода или его адсорбцию на этой поверхности. Во время накопления определяемого вещества в результате его химической реакции с материалом электрода обычно электрод не поляризуют. Переход накопленного растворимого в материале электрода вещества с поверхности электрода в его объем осуществляется путем диффузии. Для стабилизации условий массопереноса определяемого вещества к поверхности электрода во время накопления, как правило, обеспечивают его стационарную конвективно-диффузионную доставку путем перемешивания раствора, вращения или вибрирования электрода. После окончания накопления прекращают действие источника конвективного Maqconepenoca и через определенное время, называемое временем успокоения, регистрируют инверсионную вольтамперограмму электропревращения продукта предварительного накопления. В зависимости от того, окисляется или восстанавливается этот продукт, вольтамперограмму записывают при анодной или катодной развертке напряжения соответственно. [15]
Страницы: 1 2 3 4