Время - нарастание - сигнал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Каждый подумал в меру своей распущенности, но все подумали об одном и том же. Законы Мерфи (еще...)

Время - нарастание - сигнал

Cтраница 3


Прекращение отрицательного управляющего сигнала на базе приводит к запиранию транзистора Т2, и конденсатор С разряжается через сопротивление R. Если R больше, чем сопротивление в цепи заряда, то выходной сигнал с транзистора Т будет иметь время спада, большее, чем время нарастания сигнала.  [31]

32 Диаграммы ( х, t ( а, ( аг, и ( б и среднее давление по толщине диэлектрического датчика ( в при лрохождении через датчик волны с вертикальным фронтом.| Диаграммы ( х, t ( а, ( аг, и ( б и среднее давление по толщине диэлектрического датчика ( в при прохождении волны с вертикальным фронтом, искаженной при прохождении через первый датчик. [32]

Как следует из приведенной схемы, для соотношения жесткостей исследуемого материала и диэлектрической пленки ( рД) Мет / ( рО) пл8 сигнал с диэлектрического датчика и давление в материале за датчиком нарастают до номинальной величины за время, соответствующее 10 пробегам волны по толщине датчика. Если пренебречь повышением жесткости диэлектрика и уменьшением его толщины по мере сжатия ( эти предположения использованы для построения диаграмм на рис. 92), время нарастания сигнала при толщине диэлектрика 0 06 мм и скорости звука в нем 4 мм / мкс составляет примерно 0 3 икс. Вследствие сжатия диэлектрической пленки и повышения ее жесткости эта величина снижается примерно вдвое, что соответствует времени нарастания сигнала на фронте упругого предвестника, зарегистрированного диэлектрическим датчиком с лавсановой пленкой толщиной 0 06 мм, расположенным в стали.  [33]

Как и в ламповых устройствах, для улучшения переходных характеристик используются цепи коррекции или компенсации, например включение корректирующих индуктивностей в коллекторную цепь или введение частотнозависимой обратной связи; ослабление обратной связи на высоких частотах позволяет увеличить коэффициент усиления и повысить граничную верхнюю частоту. Подобный эффект достигается, например, включением в цепь эмиттера сопротивления, шунтированного такой емкостью, чтобы постоянная времени корректирующего контура была сравнима со временем нарастания сигнала на выходе каскада без коррекции.  [34]

Схемы компараторов подобны схемам ОУ. Основными параметрами компараторов являются: чувствительность ( точность, с которой компаратор может различать входной и опорный сигналы), быстродействие, определяемое / Зд и временем нарастания сигнала, нагрузочная способность / вых.  [35]

36 Передача данных по скрученной проводной линии с несимметричным управлением. [36]

На практике принято считать, что простой провод можно использовать в качестве соединительной линии в случае, если время прохождения сигнала по нему на порядок меньше, чем время нарастания сигнала на выходе схемы. Отсюда получается следующее ограничение: максимальная длина соединения должна составлять 10 см на наносекунду фронта сигнала. Если длина проводника будет большей, возникнут существенные искажения формы импульса, отражения и слабо - или сильнозатухающие колебания. Такие ошибки могут быть исключены введением линий с определенным волновым сопротивлением ( коаксиальные кабели, полосковые линии), которые нагружаются на согласованную нагрузку.  [37]

38 Схема для измерения частоты. [38]

На практике в большинстве случаев требуется предварительное преобразование входного частотного сигнала для согласования со счетчиком импульсов. Поэтому на входе схемы измерителя частоты часто ставят формирующее устройство, состоящее из усилителя - для увеличения уровня сигнала, фильтра - для сглаживания амплитудных колебаний и компаратора - для уменьшения времени нарастания сигнала.  [39]

Обычно представляет интерес лишь зависимость г () при замкнутом состоянии контакта и наличие разрывов цепи при дребезге, поэтому динамический диапазон изменения r ( t) сужается примерно до 102 подключением параллельно контакту дополнительного постоянного сопротивления Лд 1 ом. Желательно, чтобы по осциллограмме электроконтактных измерений можно было точно определять также и мгновенные значения изменяющегося сопротивления контакта. Например, при замыкании сухих язычковых магнитоуправляемых контактов время нарастания сигнала электроконтактных измерений составляет 30 - 100 нсек, а ртутных - менее 1 нее / с. Спектр такого сигнала уже в случае сухих контактов простирается за 100 Мгц. Поэтому методы и аппаратура измерения rK ( t) должны удовлетворять требованиям и правилам измерений на ОВЧ. Следует также иметь в виду, что полученные значения г могут быть завышены из-за скин-эффекта.  [40]

Как следует из приведенной схемы, для соотношения жесткостей исследуемого материала и диэлектрической пленки ( рД) Мет / ( рО) пл8 сигнал с диэлектрического датчика и давление в материале за датчиком нарастают до номинальной величины за время, соответствующее 10 пробегам волны по толщине датчика. Если пренебречь повышением жесткости диэлектрика и уменьшением его толщины по мере сжатия ( эти предположения использованы для построения диаграмм на рис. 92), время нарастания сигнала при толщине диэлектрика 0 06 мм и скорости звука в нем 4 мм / мкс составляет примерно 0 3 икс. Вследствие сжатия диэлектрической пленки и повышения ее жесткости эта величина снижается примерно вдвое, что соответствует времени нарастания сигнала на фронте упругого предвестника, зарегистрированного диэлектрическим датчиком с лавсановой пленкой толщиной 0 06 мм, расположенным в стали.  [41]

Так, при токе электронного луча 9 8 мА с энергией электронов 15 кэВ, нагрузочном сопротивлении 1 4 Ом и толщине обедненного слоя 2 6 мкм время нарастания импульса тока составляет около 40 пс. При активной площади диода 1 - 2 мм, толщине области дрейфа 30 - 50 мкм и удельном сопротивлении исходного кремния 30 - 50 Ом-см время нарастания сигнала составляет несколько единиц наносекунд.  [42]

Транзистор типа р-п - р, использованный только как эмиттерный повторитель, будет давать характерно малое время спада для указанного типа входного сигнала. Обусловленное транзистором типа п-р - п улучшение времени нарастания можно проанализировать, предполагая, что происходит запаздывание переднего фронта импульса на эмиттере относительно переднего фронта импульса на входе. В этом случае на базе транзистора типа п-р - п имеется положительное напряжение, большее по величине, чем на эмиттере, и транзистор типа п-р - п должен проводить, улучшая время нарастания сигнала. Основная схема этого типа, описанная в гл.  [43]

Так как 4л - р-счетчик работает в режиме совпадений со сцинтил-ляционным у-спектрометром, необходимо оценить время запаздывания импульса на выходе счетчика относительно прохождения через счетичик р-частицы. Если коэффициент газового усиления в счетчике велик, то импульс на выходе счетчика будет почти полностью обусловлен движением положительных ионов, занимающих в начальный момент узкую область около центрального электрода. Сигнал на выходе пропорционального счетчика достигает половины своей максимальной величины за время, примерно равное 10 - 2 - 10 - 3 времени собирания всех положительных ионов. При работе в режиме совпадений необходимо уменьшить время нарастания сигнала. Это может быть достигнуто при использовании лишь узкого участка переднего фронта нарастания импульса.  [44]

Нередко желательно определить частотную характеристику замкнутой цепи данной системы. Важнейшая причина состоит в том, что это позволяет получить хорошую общую картину о свойствах системы. В общем, частотная характеристика замкнутой цепи для системы управления аналогична характеристике фильтра нижних частот. Возможно связать ширину полосы частот системы с временем нарастания сигнала при реакции на единичную входную функцию. Рассмотрим идеальный фильтр нижних частот ( фиг.  [45]



Страницы:      1    2    3    4