Cтраница 2
Схема НЕ - И / НЕ - ИЛИ с тремя входами. [16] |
Важность измерения параметров в режиме переключения ( таких, как задержка импульса, время нарастания фронта импульса, время рассасывания неосновных носителей и время спада) установлена при измерении характеристик транзисторов, а методы и оборудование для проведения этих измерений хорошо известны. [17]
Очень часто при расчете ключевых схем требуется знать не отдельные величины задержки и времени нарастания фронта импульса при включении, а полное время включения tBKji, отсчитываемое от момента подачи входного сигнала до момента, когда напряжение на коллекторе нарастает до уровня 0 9 от полного перепада напряжения. [18]
Применение индуктивной коррекции во входной цепи ( рис. 4.47, б) позволяет при большой общей емкости Сг Свх ( как и при большом внутреннем сопротивлении источника сигнала) уменьшить время нарастания фронта импульса. При индуктивной коррекции входной цепи, так же как и в схеме 4.14, в зависимости от соотношения величин Rr, R, L и Сг Свх процесс установления может быть апериодическим или колебательным. При расчете входной цепи следует исходить из допустимого выброса в переходной характеристике. [19]
Принципиальная схема свсто-лучсвого осциллографа.| Амплитудные и фазово-частотные характеристики гальванометра. [20] |
Часто применяются отмотки времени в виде; прямых линий, перпендикулярных к направлению движения бумаги или пленки ( см. рис.), что очень удобно при определении периода колебаний, оценки времени нарастания фронта импульса, определении постоянной времени экспоненциальных импульсов и др. видах обработки О. Иногда в качестве отмотки времени применяется запись перноднч. [21]
Телевизионное изображение с минимальным числом изменений яркости в направлении вертикальной развертки. [22] |
Наличие в изображении резких изменений яркости определяет импульсный характер видеосигнала. Чем меньше время нарастания фронтов импульсов сигнала при передаче резких переходов от одного значения яркости к другому, тем точнее передаются эти переходы и тем выше четкость изображения. [23]
Однако существует много новых методов. Например, установленные точки для измерения времени нарастания фронта импульса обычно определяются напряжением, выраженным в процентах от максимальной амплитуды импульса. Иногда время нарастания фронта импульса может измеряться между точками, которые определяются уровнем напряжения, выраженным в вольтах. Этот способ используется при функциональных испытаниях работы транзистора при каком-либо уровне напряжения в определенной схеме, а не при измерениях его относительных характеристик вообще. [24]
Если выброс в переходной характеристике или время установления окажется больше допустимого, то следует, задавшись другим отношением тс / т, произвести перерасчет схемы. Надо иметь в виду, что с увеличением выброса снижается время нарастания фронта импульса. Поэтому, если в результате расчета выброс получился меньше допустимого, то это указывает на возможность ( при необходимости) некоторого сокращения времени установления выбором большей постоянной времени тс. [25]
Максимальный коэффициент передачи входной цепи близок к единице, если сопротивление потенциометра плавной регулировки усиления Rn выбрать из условия Rn RT, где г - внутреннее сопротивление источника сигнала. Указанное условие выполнимо, если сопротивление RT достаточно мало, так как иначе время нарастания фронта импульса во входной цепи может оказаться недопустимо большим. [26]
Ширина импульса в этом случае определяется характеристическим временем аппаратуры. Но это не время звучания резонатора, которое составляет 2 - 10 - 8 сек, при Q 2500, и не характеристическое время катушки ( 8 - Ю 8 сек), а главным образом время нарастания фронта импульса высокочастотной мощности, которое равно 1 5 - 10 - 7 сек. [27]
Однако существует много новых методов. Например, установленные точки для измерения времени нарастания фронта импульса обычно определяются напряжением, выраженным в процентах от максимальной амплитуды импульса. Иногда время нарастания фронта импульса может измеряться между точками, которые определяются уровнем напряжения, выраженным в вольтах. Этот способ используется при функциональных испытаниях работы транзистора при каком-либо уровне напряжения в определенной схеме, а не при измерениях его относительных характеристик вообще. [28]
Входное сопротивление последнего, как известно, зависит от выбора активного элемента и схемы его включения, а также от наличия или отсутствия цепи отрицательной обратной связи, охватывающей первый каскад. В отношении входной цепи приемлемым следует считать такое решение, при котором коэффициент передачи входной цепи был бы по возможности ближе к единице, а время нарастания фронта импульса было бы меньше или не превышало бы ( при отсутствии особых обстоятельств) время установления предварительного каскада усиления. [29]
Принципиальная схема каскада с индуктивной коррекцией на биполярном транзисторе. [30] |